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本发明提供用于在衬底上制造TFT和存储电容器的设备和方法。在一个方面中，设备包含TFT和存储电容器，其中所述TFT包含第一金属层、第二金属层和半导体层，其中所述半导体层受第一蚀刻终止层和第二蚀刻终止层保护。所述存储电容器包含作为在所述第一金...
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