【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器。在美国专利文献US5381364 A中公开了这样一种存储单元，其类型为FRAM或FeRAM(铁电随机存取存储器)。FRAM的存储器电容具有铁电介质。每个存储单元的两个存储器电容的一个电极经所属选择晶体管的控制端分别与一对位线中的一条位线相连。两个选择晶体管的控制端与一条共用字线相连。每个存储单元的两个存储器电容的第二电极与一条共用极板线路相连。所以在存储器工作期间，存储器电容的这些电极上始终有相同的电位。本专利技术的任务是，提供一种具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器，其存储单元的结构与公知存储单元的结构不同。以上任务的解决方案体现于这样的集成存储器，-具有分别由两个晶体管和两个电容构成的、位于位线和字线交叉点上的存储单元，-在该存储单元中，分别有-一个第一电容的第一电极经第一晶体管的控制端与一条位线相连，-一个第一电容的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第一极板电位相连，-一个第二电容的第一电极经第二晶体管的控制端与另一条位线相连，-一个第二电容的第二电极与一个在对所...
【技术保护点】
集成存储器，－具有分别由两个晶体管（Ｔ１，Ｔ２）和两个电容（Ｃ１，Ｃ２）构成的、位于位线（ＢＬ，／ＢＬ）和字线（ＷＬ）交叉点上的存储单元（ＭＣ），－在该存储单元（ＭＣ）中，分别有－一个第一电容（Ｃ１）的第一电极经第一晶体管（Ｔ１）的控制端与一条位线（ＢＬ）相连，－一个第一电容（Ｃ１）的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第一极板电位（ＶＰＬ１）相连，－一个第二电容（Ｃ２）的第一电极经第二晶体管（Ｔ２）的控制端与另一条位线（／ＢＬ）相连，－一个第二电容（Ｃ２）的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第二极板电位（ＶＰＬ２）相连，该极板电位...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 1999-10-29 19952311.81．集成存储器，-具有分别由两个晶体管(T1,T2)和两个电容(C1,C2)构成的、位于位线(BL,/BL)和字线(WL)交叉点上的存储单元(MC)，-在该存储单元(MC)中，分别有-一个第一电容(C1)的第一电极经第一晶体管(T1)的控制端与一条位线(BL)相连，-一个第一电容(C1)的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第一极板电位(VPL1)相连，-一个第二电容(C2)的第一电极经第二晶体管(T2)的控制端与另一条位线(/BL)相连，-一个第二电容(C2)的第二电极与一个在对所述存储单元进行一次存取期间保持恒定的第二极板电位(VPL2)相连，该极板电位不同于第一极板电位(VPL1)，-并且两个晶体管(T1,T2)的控制端与至少一条字线(WL)相连，在对所述存储单元进行一次存取时，所述晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：H赫尼格施米德，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[]
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