【技术实现步骤摘要】
本案涉及。
技术介绍
一般而言，快闪存储单元是与逻辑电路或线性电路晶体管形成于相同的 基板上；为具有一有效率的制造过程，作为该等快闪存储单元控制栅极的晶 体管与该等逻辑电路及线性电路晶体管通常会共享相同的多晶硅掩膜，且亦 共享相同的侧壁氧化处理与相同的栅极之反应离子蚀刻(R正)。虽然共享共 同的步骤是有效率的，但却同时也出现一种或多种技术问题；由于特征尺寸 变小，逻辑电路及/或线性电路晶体管便需要特别浅的源极与漏极之接合形 成，以避免短沟道效应(SCE);为了实现上述之特别浅的源极与漏极之接合 形成，便必须将制造该装置之热预算维持的非常低，因此，必须要在一低温 条件中执行側壁氧化处理、或是省略侧壁氧化处理程序。然而，快闪存储单 元的栅极边缘需要特别磨圓，以减少因尖锐的栅极边缘所引起的高电场，进 而能够将电荷保留在该栅极之堆栈中。栅极之磨圓藉由浮动栅极所捕捉的电 荷周围电场之降低而减少了泄漏电流。
技术实现思路
本专利技术利用一双重硬掩膜(HM)的方式，藉由逻辑电路与线性电路晶体 管与快闪存储单元之侧壁氧化处理与温度的最佳化，来解决习知^L术中所存 在的问题。该逻辑...
【技术保护点】
一种具有逻辑电路及／或线性电路晶体管与存储装置的集成电路，所述集成电路包括： 逻辑电路及／或线性电路装置区域，其包括场效晶体管，各包括 自漏极所隔出的源极， 位于所述源极和所述漏极之间的沟道， 控制栅极，所述控制栅极 包括位于所述沟道上的绝缘层与位于所述绝缘层上的栅极电极，以控制所述沟道中的电场，以及 逻辑电路及／或线性电路装置侧壁绝缘层，其位于所述栅极电极的侧边，以将所述栅极电极与邻近的晶体管隔离； 存储装置区域，所述存储装置区域包括电子可 编程的存储装置，各包括 自漏极所隔出的源极， 位于所述源极和所述...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：D沈，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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