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本发明是一种快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法。本发明揭露了一种可使集成电路具有紧密的逻辑电路及／或线性电路区域与紧密的存储区域的制程与产品。在一共同的基板上，一双重硬罩幕处理单独形成了逻辑电路及／或线性电路晶体管以及ＥＥＰＲＯＭ存储晶体...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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