一种具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路及其电荷泄放方法技术

本发明专利技术公开了一种具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路，包括与负载相连的晶体管；晶体管的输入端连接有电荷泄放电路；电荷泄放电路接收外部设备提供的第二控制信号，其用于在第二控制信号的作用下对晶体管寄生电容上的电荷进行泄放，将晶体管的输入端电位拉低至参考电位。同时本发明专利技术还公开了该开关电路的电荷泄放方法。本发明专利技术通过在晶体管由关闭转入导通的过渡阶段利用电荷泄放电路快速下调晶体管输入端的电位，能够有效消除在控制负载启动时存在的延迟现象；大幅减小了晶体管导通后浪费在降低输入端虚高电位的时间开销。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于开关控制电路
，具体涉及。
技术介绍
在采用MOS管作为调节与控制开关应用中，常有某电子元器件(包括但不限于电阻、晶体管、LED等)的一端与开关电路(如MOS管)相连，并通过该开关电路作为电子元器件开关控制或传导电流的电路结构。虽然理论上使MOS管导通就可以让与MOS管相连的 电子元器件正常导电，但实际中会出现MOS管自身已处于导通状态，但与之相连的电子元器件中却没有电流或电流偏小，需要一定的时间后该器件上的电流才满足要求的问题。这是由于MOS管输入端存在较大的输入电容(例如负载电容、寄生电容等)上存储的电荷使得MOS管在导通之初首先泄放的是输入电容中的电荷而不是为与之相连的器件提供通路。在LED显示装置的应用中就大量使用LED连接列驱动器的情况，而列驱动器的输出端通常是NMOS管，在要求快速响应时就会受到此种困扰。图I以发光LED为例，LED阳极接电源Vdd (5V)，LED阴极连接NMOS管M的漏极，NMOS管M的源极通过电阻R接地，NMOS管M的栅极接受控制信号%控制匪OS管的通断。设LED的阈值电压为Vt，最小点亮电压为八，正向压降为VF。LED的正向电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路，包括与负载相连的晶体管；所述的晶体管的输入端与负载的输出端相连，输出端接地，控制端接收外部设备提供的第一控制信号；所述的负载的输入端接供电电压；其特征在于：所述的晶体管的输入端连接有电荷泄放电路；所述的电荷泄放电路接收外部设备提供的第二控制信号，并在第二控制信号的作用下对晶体管寄生电容上的电荷进行泄放，将晶体管的输入端电位拉低至参考电位。

【技术特征摘要】
1.一种具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路，包括与负载相连的晶体管；所述的晶体管的输入端与负载的输出端相连，输出端接地，控制端接收外部设备提供的第一控制信号；所述的负载的输入端接供电电压；其特征在于所述的晶体管的输入端连接有电荷泄放电路；所述的电荷泄放电路接收外部设备提供的第二控制信号，并在第二控制信号的作用下对晶体管寄生电容上的电荷进行泄放，将晶体管的输入端电位拉低至参考电位。2.根据权利要求I所述的具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路，其特征在于所述的电荷泄放电路为一 NMOS管，其漏极与晶体管的输入端相连，源极接参考电位，栅极接收所述的第二控制信号。3.根据权利要求I所述的具备快速泄放晶体管寄生电容电荷的开关电路，其特征在于所述的电荷泄放电路由一 CMOS传输门和一反相器组成；其中，CMOS传输门的输入端与晶体管的输入端相连，CMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵一尘，卢晓冬，何乐年，
申请(专利权)人：苏州永健光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：