用于在眼科装置上形成薄膜纳米晶体集成电路的方法和设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了用于在三维成形的插入物装置上形成薄膜纳米晶体集成电路晶体管并将其结合到眼科镜片中的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术描述了用于形成一种装置的方法和设备，在该装置中，薄膜纳米晶体晶体管和集成电路装置限定于眼科装置插入物部件之上。在一些实施例中，用于在眼科装置内形成薄膜纳米晶体集成电路装置的方法和设备涉及出现在具有三维形状的基底上的所述表面上形成物。在一些实施例中，所述方法和设备的应用领域可包括结合通电元件、插入物和薄膜纳米晶体集成电路装置的眼科装置。
技术介绍
传统上，眼科装置，例如接触镜片、眼内镜片或泪点塞包括具有矫正、美容或治疗性质的生物相容性装置。例如，接触镜片可提供以下中的一种或多种:视力矫正功能、美容增强作用和治疗效果。每种功能由镜片的物理特性提供。将折射性质结合到镜片中的设计可提供视力矫正功能。结合到镜片中的颜料可提供美容增强作用。结合到镜片中的活性剂可提供治疗功能。无需使镜片进入通电状态即可实现这些物理特性。传统上，泪点塞为无源装置。最近，已将有源部件结合到接触镜片中。一些部件可包括半导体装置。一些实例示出了在置于动物眼睛上的接触镜片中嵌入半导体装置。还描述了可以如何在镜片结构自身内以多种方式使有源部件被通电和激活。由镜片结构限定的空间的形貌和大小为限定各种功能创造了新型而具有挑战性的环境。在许多实施例中，重要的是提供使眼科装置内的部件通电的可靠、简洁且经济有效的方法。在一些实施例中，这些通电元件可包括蓄电池，所述蓄电池也可由基于“碱性”电池的化学方法形成。使用电能的其他部件可连接至这些通电元件。在一些实施例中，这些其他部件可包括用于执行电路功能的晶体管。有用且可实现的是在此类装置中包括薄膜纳米晶体集成电路装置。
技术实现思路
因此，本专利技术包括用于形成具有介质插入物的眼科装置的方法，其可以包括将第一薄膜纳米晶体集成电路层沉积在第一基底上。插入件可以从基底上切下并组装到第一介质插入物中。介质插入物可封装在眼科装置中，例如通过注塑成型工艺。基底的一部分可形成三维形状，例如通过热成形工艺或折叠工艺。所述形成可发生在将薄膜纳米晶体集成电路层沉积在第一基底上之后。在一些实施例中，第一薄膜纳米晶体集成电路层可在插入件从第一基底上切下之前或在基底形成三维形状之前被沉积在基底上。在一些实施例中，第一栅极导体可形成于与薄膜纳米晶体集成电路层邻近的基底上。栅极导体的形成可发生在将薄膜纳米晶体集成电路层沉积在基底上之前。在薄膜纳米晶体集成电路层上形成第一源极/漏极导体的过程可以采用与在第一基底上形成电互连迹线相同的工艺进行。—些实施例可包括沉积在第二基底上的第二薄膜纳米晶体集成电路层。第二插入件可以从第二基底上切下并组装到介质插入物中。在一些此类实施例中，第二薄膜纳米晶体集成电路层可包括第一 η型薄膜纳米晶体集成电路层，并且第一薄膜纳米晶体集成电路层可包括第一 P型薄膜纳米晶体集成电路层。通电元件，诸如电化学电池，可沉积在基底的区域上，其中所述通电元件可与薄膜纳米晶体集成电路层电连通。在一些实施例中，通电元件可密封到基底。电互连迹线能够使通电元件与栅极导体电连通。在一些实施例中，源极/漏极导体可形成于薄膜纳米晶体集成电路层上，并且电互连迹线可形成于基底上，其中所述电互连迹线能够使第一源极/漏极导体与第一通电元件电连通。在一些实施例中，第二通电元件可沉积在第三基底上。第三插入件可以从第三基底形成并可组装到介质插入物中。在另选实施例中，用于形成具有介质插入物的眼科装置的方法可包括将η型薄膜纳米晶体集成电路层和P型薄膜纳米晶体集成电路沉积在基底上。导电层可沉积在基底上，其中该导电层可包括多个隔离的导电迹线，其中该隔离的导电迹线包括与η型薄膜纳米晶体集成电路层和P型薄膜纳米晶体集成电路层电连通的源极/漏极导电特征结构。基底的区域可热成形为三维形状，其中所述区域可包括η型薄膜纳米晶体集成电路层的一部分、P型薄膜纳米晶体集成电路层的一部分以及导电层的一部分。通电元件可沉积在导电层的一部分上，其中通电元件可与导电层电连通。插入件可从基底上切下，并且该插入件可组装到介质插入物中。介质插入物可封装在眼科装置中，例如通过注塑成型工艺。在一些实施例中，通电元件可包括多个通电部件，其中导电层能够将通电部件置于彼此电串联的状态。—些实施例还可包括将第二导电层沉积在第二基底上，其中该第二导电层的一部分可包括多个隔离的导电特征结构，其中该隔离的导电特征结构能够与第一导电层的区域形成膜片开关。【附图说明】图1示出了符合本专利技术主体的其他相关公开的具有三维表面的示例性插入件，薄膜纳米晶体集成电路装置可限定在该三维表面上。图2示出了用于形成三维表面的示例性流程，该流程可与形成薄膜纳米晶体集成电路装置的流程一致。图3示出了一种集成电路装置，该集成电路装置连接至在至少两个导电位置中具有导电迹线的三维成形插入件。图4示出了用于形成互补的η型和P型薄膜纳米晶体集成电路装置的一组示例性处理流程步骤，该互补的η型和P型薄膜纳米晶体集成电路装置可用于包括到眼科装置中。图5示出了产生适于之后包括到眼科装置中的互补薄膜纳米晶体集成电路装置的示例性工艺流程。图6示出了图5中的示例性方式所述的工艺流程的进一步加工成眼科装置的示例性方法。图7示出了一种示例性电子电路功能，该功能使用可包括于眼科装置中的薄膜纳米晶体集成电路。图8示出了包括电路元件的插入件的图示。【具体实施方式】最近，已经证明用于产生薄膜纳米晶体晶体管和集成电路的特定方法可符合挠性基底。基于砸化镉的证明的关键方面可能是采用短链无机基配体(如通过硫氰酸酯材料证明)来与纳米晶体配位形成可用的导电的层。本专利技术涉及用于形成薄膜纳米晶体集成电路装置的方法和设备，所述薄膜纳米晶体集成电路装置用于结合到眼科镜片中并且在一些实施例中被安装到介质插入物上。在一些实施例中，插入物结构可具有表面，所述表面具有三维形貌。以下部分将详细说明本专利技术的实施例。文中描述的优选实施例和备选实施例均为示例性实施例，并且应当理解，其变化、修改和更改对于本领域技术人员而言会是显而易见的。因此，应当理解，所述示例性实施例不限制以下专利技术的范围。术语表在针对本专利技术的该描述和权利要求中，所使用的各个术语定义如下:阳极:如本文所用，是指电流通过其流进极化的电装置的电极。电流的方向通常与电子流的方向相反。换句话讲，电子从阳极流进例如电路中。阴极:如本文所用，是指电流通过其流出极化的电装置的电极。电流的方向通常与电子流的方向相反。因此，电子流进极化的电装置并且流出例如所连接的电路。电极:如本文所用，可指能量源中的活性质量。例如，它可以包括阳极和阴极中的一者或两者。封装:如本文所用，是指形成阻隔以将例如介质插入物的实体与实体相邻环境分开。封装材料:如本文所用，是指包围例如介质插入物的实体形成的层，该层形成阻隔以将实体与实体相邻环境分开。例如，封装材料可由有机硅水凝胶(例如Etafilcon、Galyfilcon、Narafilcon和Senofilcon)或其他水凝胶接触镜片材料构成。在一些实施例中，封装材料可为半渗透性的，以将特定物质包含在实体内且防止特定物质(例如，水)进入实体。通电的:如本文所用，是指能够提供电流或能够在其内储存电能的状态。当前第1页1 2 3 4 5 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成具有介质插入物的眼科装置的方法，包括：将第一薄膜纳米晶体集成电路层沉积在第一基底上；从所述第一基底切割出第一插入件；将所述第一插入件组装到第一介质插入物中；以及将第一封装层模塑在所述介质插入物周围，其中所述模塑形成所述眼科装置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RB普格，FA弗里特施，
申请(专利权)人：庄臣及庄臣视力保护公司，
类型：发明
国别省市：美国;US