【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容器制备
，具体涉及一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器及其制备方法。
技术介绍
微电子技术是信息化时代最具代表性的高新技术之一，它的核心技术是半导体集成电路技术。微电子技术基于自身集成化程度高，反应敏捷、占用空间较小等优势特点在电子产业中得以广泛的应用。高集成度、低功耗、高性能、高可靠性、微型化是微电子技术发展的方向。为了达到社会经济的发展对微电子技术的需求，实现社会经济在技术支持下快捷稳定发展，必须要不断地对微电子技术进行优化和改进，积极地探索更深层次的微电子技术知识，使微电子技术更好地服务于社会经济发展。而电容器作为集成电路中必不可少的重要器件，也需要得到更好的优化和改进。在电容器的制备和使用过程中，介质中不可避免地会出现各种各样的缺陷，因此，实现介质中的缺陷在强场下的自修复十分必要。中国专利CN103971933A公开了一种固态薄膜电容器及其制备方法，专利技术了一种具有自修复作用的氧化铝固态薄膜电容器，这种电容器利用活性氧...
【技术保护点】
一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，包括衬底基片、下部电极和上部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，其特征在于，该电容器还包括活性钛酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极为Ti薄膜，活性钛酸锶薄膜与上部电极之间设有一层具有自修复作用的阳极氧化膜。
【技术特征摘要】
1.一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，包括衬底基片、下部电极和上
部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，其特征在于，该电容器还包括活性钛
酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极
为Ti薄膜，活性钛酸锶薄膜与上部电极之间设有一层具有自修复作用的阳极氧化
膜。
2.根据权利要求1所述的一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，其特征
在于，所述的下部电极包括Ti薄膜、Pt薄膜、Au薄膜、Cu薄膜或Ag薄膜。
3.根据权利要求2所述的一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，其特征
在于，当下部电极为Ti薄膜时，该电容器还包括一层位于活性钛酸锶薄膜与下部
电极之间的具有自修复作用的阳极氧化膜。
4.根据权利要求3所述的一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，其特征
在于，所述的下部电极的厚度为150～250nm，所述的上部电极的厚度为150～250
nm，所述的活性钛酸锶薄膜的厚度为200～350nm，所述的阳极氧化膜的厚度为
10～50nm。
5.根据权利要求1所述的一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器，其特征
在于，所述的衬底基片为硅片。
6.如权利要求1所述的一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器的制备方法，
其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)制备活性钛酸锶溶胶前驱体：
(1-1)制备锶源：将醋酸锶溶解在冰醋酸中，于70～90℃搅拌0.5～2h，温度
缓慢降至40～60℃后加入PVP的冰醋酸溶液，在40～60℃下继续搅拌20～60min，
得到锶源，其中，醋酸锶与PVP的用量比为1mol:(3～8)g；锶源中的醋酸锶与冰
醋酸的总量的比值为1mol:(1.5～2.5)L；
(1-2)制备钛源：将四异丙醇钛溶解在乙二醇甲醚中，40～60℃下搅拌20～60
min，加入乙酰丙酮，保持温度在40～60℃下继续搅拌0.5～2h，得到钛源，其中，
四异丙醇钛、乙二醇甲醚和乙酰丙酮的用量比为1mol:(2～3)L:(0.08～0.12)...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚曼文，李菲，陈建文，彭勇，苏振，徐开恩，姚熹，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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