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本发明涉及一种高储能密度固态薄膜集成电路电容器及其制备方法，该电容器包括衬底基片、下部电极和上部电极，所述的下部电极涂覆在衬底基片上，该电容器还包括活性钛酸锶薄膜，所述的活性钛酸锶薄膜位于上部电极和下部电极之间，所述的上部电极为Ti薄膜，活...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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