The invention discloses a surface precision thin film circuit manufacturing method, which comprises the following steps: a) in making circuit surface one-time sputtering or evaporation of multilayer circuit metal layer from inside to outside and double metal Cr/Cu auxiliary layer; b) in the double metal layer on the auxiliary surface corresponds to the multilayer circuit metal layer corroded position micro contact printing alkanethiol molecules to form a double metal etch mask auxiliary layer; c) etching of double metal alkanethiol molecules mask outside the protection region of the auxiliary layer; d) desorption of alkanethiol molecules mask; E) etching off the remaining metal Cu double metal auxiliary layer. The formation of Cr mask; F) with the remaining Cr auxiliary layer as a mask of the multilayer circuit metal layer is plated with gold plating; g) for multilayer circuit metal layer etch mask off the remaining double layer metal Cr and metal assisted gold mask of shape Thin film circuit.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于混合集成电路
,具体涉及一种曲面上精密薄膜电路制作方法。
技术介绍
随着智能终端、武器装备等向信息化、多功能化发展,有限的空间内需要集成的电子功能模块越来越多,空间越来越拥挤。为了更有效地利用有限的空间,研究人员提出了结构电路一体化的方案,即在结构件、绝缘件、隔离件等等传统上不承载功能电路的地方尽可能的集成功能电路,而这些功能件的表面往往是一个曲面,因此结构电路一体化要求在曲面上制作可靠的电路,传统上基于光刻技术的平面电路制作工艺在曲面上已不再适用。目前,在曲面上制作电路主要有三种方法:一是采用激光剥离减成法工艺,即先大面淀积所需金属层,然后用激光把电路以外的金属烧蚀掉,这种工艺虽然灵活性高,但需要烧蚀掉大面积金属,速度慢,精度也不够高,且容易损伤基材,同时对于含金电路而言,这种减成法工艺大大增加了成本;第二种方法是采用激光直写加化学镀的加成法工艺,即首先在分散了活性金属颗粒的有机材料表面用激光写出电路图形,激光照射过的区域表层有机材料挥发,露出活性金属颗粒,然后以活性金属颗粒为敏化剂或还原剂进行化学镀,这样激光写过的区域就形成了电路图形。这种方法灵活性高,成本低,便于大批量生产,但电路精度较差,且其基材受限于分散金属颗粒的有机材料;第三种方法是采用微接触印刷的减成法工艺,即先大面积淀积所需金属层,再采用微接触印刷形成有机分子掩膜,然后腐蚀掉非掩膜区域形成所需电路。这种方法虽然简便,但因其属于减成法工艺,导致对含金电路而言金浪费严重,成本很高(通常情况下,电路区域面积要远远小于非电路区域面积)。薄膜电路相对于厚膜电路、印制板电路等的可 ...
【技术保护点】
一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤:a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。
【技术特征摘要】
1.一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤:a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。2.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法,其特征在于:所述工件材料为陶瓷、或聚酰亚胺、或聚醚醚酮,所述工件表面粗糙度小于100nm。3.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法,其特征在于:所述的多层电路金属层和双金属辅助层溅射或蒸发后用高纯惰性气体保护备用。4.根据权利要求1所述的曲面上精密薄膜电路制作方法,其特征在于:所述的多层电路金属层由内到外为Cr/Cu、或Cr/Cu/Ni、或Ti/Cu、或TiW/Ni、或TiW/Cu,其中Cr、Ti、TiW金属的厚度在30nm~200nm之间,其他金属的厚度在0.1μm~10μm之间;所述双金属辅助层中Cr层厚度在30nm~...
【专利技术属性】
技术研发人员:王列松,薛新忠,高永全,朱小明,
申请(专利权)人:苏州华博电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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