短路棒结构及其制作方法以及薄膜晶体管基板技术

本公开提供了一种短路棒结构及其制作方法以及薄膜晶体管(TFT)。所述短路棒结构包括：测试线；检测探针接触部分，与测试线相连，用于与检测探针接触；至少一个PN结结构，位于测试线与至少一根待测线之间，使测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。

Short circuit bar structure and manufacturing method thereof, and thin film transistor substrate

The present disclosure provides a short circuiting bar structure and a method of making the same, and a thin film transistor (TFT). Including the short circuit rod structure: test line; detection probe contact part is connected with the test line for contact with the detection probe; at least one PN junction structure, located in the test line with at least one measured line between the test signal to pass along the one-way guide from the test line to the test line square.

【技术实现步骤摘要】
短路棒结构及其制作方法以及薄膜晶体管基板
本公开涉及显示设备检测领域，具体地涉及一种短路棒结构及其制作方法以及一种薄膜晶体管基板。
技术介绍
在显示设备的生产过程中，需要在各个生产阶段对设备性能进行检测，以便及时发现存在的问题，保证面板的质量。检测探针接触方式是在需要通过加载信号进行的检测项目中常用的检测方式。举例来讲，在薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的面板检测(如，celltest)中，常采用检测探针接触方式来对面板上的引线区域加载信号。在该过程中，检测探针与面板上的引线区域一一对应，通过将探针分别扎入相对应的引线区域而形成连接，进而加载信号。然而，由于引线间距很小(通常为38-40微米)，所以在检测探针与引线区域进行接触时容易发生偏差，并且容易对引线区域产生划伤，从而影响检测的效果。短路棒结构用于将待测引线所对应的数据线或栅极线之间短路，从而，在检测时只需要使检测探针与被短路的多个引线之一接触即可。短路棒结构能够减少以上偏差情况出现的几率，增加了整个检测过程的效率和稳定性。然而，短路棒结构的引入会增加面板的边框厚度，这是不期望的。而且，为了保证面板能够使用，在测试结束后，必须通过修整(比如，激光修整)将短路棒结构清除，如果没有将短路棒结构清除干净，会造成瑕疵，影响面板的质量。此外，整个修整过程还需要投入较大的资金和人力，这大大增加了生产成本。
技术实现思路
为了至少部分地解决现有技术中存在的上述问题，本公开提出了一种短路棒结构及其制作方法以及一种薄膜晶体管(TFT)基板。根据本公开的一个方面，提出了一种短路棒结构。该短路棒结构包括：测试线；检测探针接触部分，与测试线相连，用于与检测探针接触；至少一个PN结结构，位于测试线与至少一根待测线之间，使测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。在一个实施例中，所述至少一个PN结结构位于所述至少一根待测线的上方。在一个实施例中，所述至少一个PN结结构位于所述至少一根待测线的下方。在一个实施例中，当将要施加的测试电压为负时，所述至少一个PN结结构的P型半导体层与所述至少一根待测线相连，所述至少一个PN结结构的N型半导体层与所述测试线相连。在一个实施例中，当将要施加的测试电压为正时，所述至少一个PN结结构的N型半导体层与所述至少一根待测线相连，所述至少一个PN结结构的P型半导体层与所述测试线相连。在一个实施例中，所述检测探针接触部分具有连接区域和接触区域，所述接触区域的宽度大于所述连接区域的宽度。在一个实施例中，所述短路棒结构包括两个检测探针接触部分，分别位于测试线的两端。在一个实施例中，所述短路棒结构布置在TFT基板上。在一个实施例中，布置在TFT基板上用于形成接合引线的区域之外。在一个实施例中，所述测试线布置在TFT基板上用于形成接合引线的区域与用于叠加彩膜基板的区域之间。在一个实施例中，所述待测线是数据线或栅极线。根据本公开的另一方面，提出了一种制作短路棒结构的方法。该方法包括：在用于布置待测线的区域内形成测试线；在用于布置待测线的区域外形成检测探针接触部分，使得所述检测探针接触部分与所述测试线相连；在所述测试线上形成至少一个PN结结构，其中，所述PN结结构形成在所述测试线与要形成的待测线之间，并且所述PN结结构使得测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。根据本公开的另一方面，提出了一种制作短路棒结构的方法。该方法包括：在至少一根待测线上形成至少一个PN结结构；在所述PN结结构上形成与所述PN结结构相连的测试线；在布置待测线的区域之外形成检测探针接触部分，使得所述检测探针接触部分与所述测试线相连，其中，所述PN结结构使得测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。根据本公开的另一方面，提出了一种TFT基板。该TFT基板包括：至少一根待测线；根据以上内容所述的至少一个短路棒结构；其中，所述短路棒结构与所述待测线相连。在一个实施例中，所述至少一根待测线被分成至少一组，所述至少一个短路棒结构与所述至少一组一一对应地相连。附图说明图1示出了常规短路棒结构的示意图。图2A示出了根据本公开实施例的短路棒结构的示意图。图2B示出了根据本公开实施例的短路棒结构的侧视图。图3A示出了根据本公开另一实施例的短路棒结构的侧视图。图3B示出了根据本公开另一实施例的短路棒结构的侧视图。图4示出了根据本公开另一实施例的短路棒结构的侧视图。图5示出了根据本公开另一实施例的短路棒结构的示意图。图6示出了根据本公开另一实施例的短路棒结构的示意图。图7示出了根据第一情形实现的具有根据本公开实施例的短路棒结构的TFT基板的结构图。图8示出了根据第一情形实现的具有根据本公开实施例的短路棒结构的TFT基板的分解结构图。图9示出了TFT基板上的短路区域的示意图。图10示出了根据第一情形的制作短路棒结构的方法的流程图。图11示出了根据第二情形的制作短路棒结构的方法的流程图。具体实施方式下面将详细描述本公开的具体实施例，应当注意，这里描述的实施例只用于举例说明，并不用于限制本公开。在以下描述中，为了提供对本公开的透彻理解，阐述了大量特定细节。然而，对于本领域普通技术人员显而易见的是：不必采用这些特定细节来实行本公开。在其他实例中，为了避免混淆本公开，未具体描述公知的电路、材料或方法。在整个说明书中，对“一个实施例”、“实施例”、“一个示例”或“示例”的提及意味着：结合该实施例或示例描述的特定特征、结构或特性被包含在本公开至少一个实施例中。因此，在整个说明书的各个地方出现的短语“在一个实施例中”、“在实施例中”、“一个示例”或“示例”不一定都指同一实施例或示例。此外，可以以任何适当的组合和/或子组合将特定的特征、结构或特性组合在一个或多个实施例或示例中。此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关列出的项目的任何和所有组合。以下参考附图对本公开进行具体描述。首先，图1示出的是常规短路棒结构的示意图。图1中的纵向线条是待测线，横向线条是用于对待测线进行短路的短路棒结构。每一个短路棒结构与若干个待测线的交点处示出为节点(比如，图1中的虚线圈出了四个节点)。可以看出，每个短路棒结构分别与特定的待测线相连接。图2A示出了根据本公开的一个实施例的短路棒结构200的示意图。图2B示出了根据本公开的一个实施例的短路棒结构200的侧视图如图2A所示，该短路棒结构200包括测试线210(无填充部分)、检测探针接触部分220(斜线填充部分)和至少一个PN结结构230(竖线填充部分)。检测探针接触部分220与测试线210相连，用于与检测探针接触。至少一个PN结结构230将位于测试线210与至少一根待测线(例如，图2A中的虚线所示)之间，用于将测试线210与待测线相连，并使测试信号沿从所述测试线210至所述待测线的方向单向导通。应该理解的是，虽然图2A中将测试线210、检测探针接触部分220和PN结结构230(以及待测线)示为了特定的形状、大小、数量和相对位置等，但这只是示例性的，本公开的技术方案同样可以实现为其他的形状、大小、数量和相对位置。比如，在本公开的其他实施例中，测试线210可以为直本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种短路棒结构，包括：测试线；检测探针接触部分，与测试线相连，用于与检测探针接触；至少一个PN结结构，位于测试线与至少一根待测线之间，使测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。

【技术特征摘要】
1.一种短路棒结构，包括：测试线；检测探针接触部分，与测试线相连，用于与检测探针接触；至少一个PN结结构，位于测试线与至少一根待测线之间，使测试信号沿从所述测试线至所述待测线的方向单向导通。2.根据权利要求1所述的短路棒结构，其中，所述至少一个PN结结构位于所述至少一根待测线的上方或下方。3.根据权利要求1或2所述的短路棒结构，其中，当将要施加的测试电压为负时，所述至少一个PN结结构的P型半导体层与所述至少一根待测线相连，所述至少一个PN结结构的N型半导体层与所述测试线相连。4.根据权利要求1或2所述的短路棒结构，其中，当将要施加的测试电压为正时，所述至少一个PN结结构的N型半导体层与所述至少一根待测线相连，所述至少一个PN结结构的P型半导体层与所述测试线相连。5.根据权利要求1或2所述的短路棒结构，其中，所述检测探针接触部分具有连接区域和接触区域，所述接触区域的宽度大于所述连接区域的宽度。6.根据权利要求1或2所述的短路棒结构，其中，所述短路棒结构包括两个检测探针接触部分，分别位于测试线的两端。7.根据权利要求1或2所述的短路棒结构，其中，所述短路棒结构布置在薄膜晶体管(TFT)基板上。8.根据权利要求7所述的短路棒结构，其中，所述测试线布置在TFT基板上用于形成接合引线的区域之外...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇，朱载荣，郭宏雁，于洋，郑尧燮，谢宗添，蒋增杨，汤存对，吴怀亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，福州京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11