一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺及其应用制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及IPC H01L领域，更具体地，涉及一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺及其应用。本发明专利技术通过前处理工艺、涂抹胶粘剂、粘接、贴切割膜、切割、贴保护膜、去除胶粘剂、包装八个步骤切割得到了超小尺寸高纯氧化铝晶粒，工艺精度高，操作便捷可行，能够切割小尺寸晶粒(边长小于0.5mm)，切割得到的小尺寸晶粒形状规则，无崩裂，成品率高达99％以上，且包装便捷成本低，适合应用于半导体、印制线路板制作等领域。印制线路板制作等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺及其应用


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及IPC H01L领域，更具体地，涉及一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺及其应用。

技术介绍

[0002]近年来，薄膜器件的外形尺寸做得越来越小，传统的砂轮切割方式对于硅片、氮化铝、铁氧体等较软的陶瓷基材还能满足要求，但是对于刚玉、蓝宝石、氧化铝等超硬材料来说，切割小尺寸晶粒(边长小于0.5mm)会遇到很多问题，如：1、切割道偏移，严重的情况下直接会将电路切坏；2、晶粒外形呈梯形，不仅外形不达标，尺寸也会偏差过大；3、晶粒崩裂严重，直接影响成品率。虽然，激光切割可以满足基本的分切要求，但是，会产生烧焦、热量聚集影响电性能等不良影响。
[0003]现有技术中，申请公开号为CN105965708A的专利文件，公开了一种半导体晶粒的切割方法和切割装置，通过使用清水或肥皂水作为切割液，并配合浇淋切割液的浇注装置，能够提高产品品质，但是切割小尺寸晶粒时，切割液的加入反而会使得晶片表面摩擦力低，切割道偏离。
[0004]申请公开号为CN10246本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、前处理工艺：将垫材和基片用水清洗干净并烘烤干燥，备用；S2、涂抹胶粘剂：将垫材和基片均加热至120
‑
140℃后，在垫材的A面和基片的B面均匀的涂上胶粘剂；S3、粘接：将垫材的A面和基片的B面紧密贴合，形成组合物一，将组合物一在室温下放置至垫材和基片粘接牢固；S4、贴切割膜：将组合物一中垫材的B面贴在切割膜上；S5、切割：将组合物一中基片的A面朝上放置在切割机上，将基片切割得到多个晶粒；S6、贴保护膜：切割完毕后在基片的A面贴上保护膜，得到组合物二；S7、去除胶粘剂：将组合物二加热后，揭下保护膜和基片，将保护膜和基片放置在溶剂中浸泡，得到组合物三；S8、包装：将组合三上切割好的晶粒拣出，即可。2.根据权利要求1所述的一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺，其特征在于，所述垫材的材质为陶瓷裸片、硅片中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺，其特征在于，所述陶瓷裸片的洛氏硬度为75
‑
95HRA，抗弯强度为250
‑
350MPa，热膨胀系数为6.0
‑
8.0
×
10
‑6m/m
·
K。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洋，钱磊，钱海，朱小明，
申请(专利权)人：苏州华博电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：