一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括：石墨烯生长、旋涂两种光刻胶、沉积铝和金、Lift

【技术实现步骤摘要】
一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法


[0001]本专利技术属于集成电路制造领域，特别涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法。

技术介绍

[0002]近年来无线网络技术已经革新到4G/5G，巨量的信息传输需求及高传输速率的需求，对高速晶体管传输速率提出更高的要求。目前射频电子行业基本由Si基晶体管满足，如MOSFETs、SiGe HBTs、HEMTs，而目前例如Si MOSFETs技术普通面临的问题是工艺尺度的不断缩小，由此带来的短沟道效应、低工作电压、大表面散射等效应，使得场效应管已达到其最佳性能，在将来的预期中难以进一步显著提高。
[0003]通信领域核心基础的射频晶体管，要求高速和高增益特性。另外，射频电子技术的进一步发展需要非常小的尺寸以及新的材料，而以石墨烯为代表的二维材料，具有优异的载流子输运性能。结合其高迁移率和高饱和速度特性，以石墨烯为代表的2D材料成为射频电子产品的有力候选者。
[0004]传统半导体器件在长金属等阶段，高能量金属离子将对沟道材料造成结构损伤，因此造成器件性能电学性能恶化。需要针对射频晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；生长石墨烯层于所述基底的上表面；旋涂两种对光敏感特性不同的光刻胶于所述石墨烯层的上表面；对所述两种光刻胶进行光刻，形成图形；沉积铝和金于所述图形的上表面；进行Lift
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off操作，去除两种光刻胶；在空气气氛下，所述铝表面自然氧化为一层氧化铝介质层；继续沉积金，形成自对准结构；在上述自对准结构表面旋涂转移胶；在真空环境下，在所述转移胶上贴附过渡刚性衬底，通过机械剥离将所述过渡临时刚性衬底与所述衬底剥离，此时所述自对准结构、转移胶形成的叠层结构从所述衬底剥离；在真空环境下，将所述叠层结构与已完成沟道材料预图形化的目标衬底完成范德华键合；通过解键合，将所述过渡临时刚性衬底分离；清洗，去除所述转移胶，得到具有自对准结构的射频晶体管。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底包括铜、镍、锗、钛、铂、金、铁、银中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：生长所述石墨烯层的方法包括化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积中的至少一种。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜海涛，狄增峰，张苗，田子傲，薛忠营，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：