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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及IPC H01L领域，更具体地，涉及一种超小尺寸高纯氧化铝晶粒的切割工艺及其应用。本发明通过前处理工艺、涂抹胶粘剂、粘接、贴切割膜、切割、贴保护膜、去除胶粘剂、包装八个步骤切割得到了超小尺寸高纯氧化铝晶粒，...
该专利属于苏州华博电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华博电子科技有限公司授权不得商用。

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