一种堆叠晶圆结构及切片方法技术

本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法，所述结构包括：依次堆叠的第一晶圆至第N晶圆，其中，所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第一表面都包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道，所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第二表面都形成有切割槽，所述切割槽的位置与切割道的位置对应，所述切割槽中形成有填充材料。本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法，在切割道对应的位置形成切割槽，并在切割槽中填充有机胶，由于有机胶比晶圆柔软很多，容易切割，可以缩小切割道的宽度，并且避免切片时发生破片，提高器件可靠性。提高器件可靠性。提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种堆叠晶圆结构及切片方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种堆叠晶圆结构及切片方法。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片需求的增加和芯片技术的发展，出现了芯片的多层堆叠技术，其将多层芯片垂直通过硅通孔及键合连接，实现多层芯片电性的连通及功能的整合。然而，多层堆叠芯片的切割将成为需要解决的问题。因多层堆叠，且每层均经过减薄工艺，导致整个多层堆叠芯片应力情况复杂，在切割时容易发生破片等问题。
[0003]因此，有必要提供更有效、更可靠的技术方案。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法，可以缩小切割道的宽度，并且避免切片时发生破片，提高器件可靠性。
[0005]本申请的一个方面提供一种堆叠晶圆切片方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道；将所述第一晶圆与载体晶圆键合，所述第一晶圆的第一表面为键合面；在所述第一晶圆的第二表面形成切割槽，所述切割槽的位置与所述切割道的位置对应；在所述切割槽中形成填充材料；将所述第一晶圆与第二晶圆键本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种堆叠晶圆切片方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道；将所述第一晶圆与载体晶圆键合，所述第一晶圆的第一表面为键合面；在所述第一晶圆的第二表面形成切割槽，所述切割槽的位置与所述切割道的位置对应；在所述切割槽中形成填充材料；将所述第一晶圆与第二晶圆键合，所述第一晶圆的第二表面以及所述第二晶圆的第一表面为键合面；去除所述载体晶圆，得到所述第一晶圆和第二晶圆的堆叠结构；以此类推，继续对所述第一晶圆和第二晶圆的堆叠结构进行键合直到形成第一晶圆至第N晶圆的堆叠结构；沿所述切割道对所述第一晶圆至第N晶圆的堆叠结构进行切片。2.如权利要求1所述的切片方法，其特征在于，将所述第一晶圆与载体晶圆键合的方法为使用临时临时键合胶进行键合。3.如权利要求1所述的切片方法，其特征在于，所述切割槽的宽度与所述切割道的宽度相同。4.如权利要求1所述的切片方法，其特征在于，还包括：对所述第一晶圆的第二表面进行减薄工艺。5.如权利要求4所述的切片方法，其特征在于，所述切割槽的深度为减薄后的第一晶圆的厚度的50％至80％...

【专利技术属性】
技术研发人员：强力，赵娅俊，张京晶，聂祥龙，魏佳奇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：