一种半导体结构、显示面板及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构、显示面板及制备方法。制备方法包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。通过本发明专利技术提供了一种晶粒尺寸更大，载流子迁移率更高的半导体薄膜结构。更高的半导体薄膜结构。更高的半导体薄膜结构。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构、显示面板及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构、显示面板及制备方法。

技术介绍

[0002]当前，显示面板在各类产品中广泛使用。在显示面板中，薄膜晶体管的有源层为半导体薄膜，其制备方法往往是，先采用化学气相沉积形成有源层薄膜，再采用准分子激光退火制备。
[0003]然而，由于准分子激光退火的激光参数受薄膜厚度制约，在满足有源层对薄膜厚度的要求下，当前制备的半导体薄膜层的晶粒尺寸在300nm左右。可见，当前显示面板的薄膜晶体管有源层，往往晶粒尺寸小，进而导致晶界密度高，使得半导体薄膜内载流子的迁移率低，难以满足日益增长的高刷新率显示器制造要求。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的半导体结构、显示面板及制备方法。
[0005]第一方面，提供一种半导体结构的制备方法，包括：
[0006]对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；
[0007]沿所述缺陷层将所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底；所述对半导体衬底进行离子注入，包括：采用惰性元素的离子对所述半导体衬底进行离子注入；或者，采用
Ⅵ
族元素的离子对所述半导体衬底进行离子注入，以生成N型的所述半导体薄膜；或者，采用Ⅲ族元素的离子对所述半导体衬底进行离子注入，以生成P型的所述半导体薄膜。3.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层，包括：采用10
‑
200keV的注入能量，1E16
‑
6E17/cm2的离子注入剂量，对所述半导体衬底进行离子注入，以在距所述半导体衬底表面10
‑
100nm深度处形成所述缺陷层。4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离，包括：采用薄膜剥离工艺沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在所述沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离之后，包括：将所述半导体薄膜转移并固定至所述目标衬底表面。5.如权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述采用薄膜剥离工艺沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：阎睿，关峰，杜建华，吕杨，王超璐，赵梦，吴昊，王易成，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：