晶片、电子部件和使用加衬和封闭的分离沟槽的方法技术

公开了一种处理晶片(100)的方法，其中，所述方法包括：为所述晶片(100)提供分离相邻的电子部件(102)的分离框架(104)；在所述分离框架(104)中形成分离沟槽(106)；用侧壁衬里(108)至少部分地加衬于所述分离沟槽(106)的侧壁(110)，用于部分地填充所述分离沟槽(106)，同时在所述分离沟槽(106)中保留有空隙体积区(112)；以及通过封闭结构(116)封闭所述分离沟槽(106)的外部开口(114)。分离沟槽(106)的外部开口(114)。分离沟槽(106)的外部开口(114)。

【技术实现步骤摘要】
晶片、电子部件和使用加衬和封闭的分离沟槽的方法


[0001]本专利技术涉及一种晶片、一种电子部件和一种处理晶片的方法。

技术介绍

[0002]封装体可以称为例如具有电连接到并安装到外围电子设备、例如印刷电路板上的包封的电子芯片。在封装之前，将半导体晶片单个化分割成多个电子芯片。在将晶片单个化分割成单个化的电子芯片之后，晶片的电子芯片可以随后被进一步处理。
[0003]可以通过机械或激光切割晶片来实现单个化分割。然而，分离的电子部件在分离期间可能会损坏。此外，从晶片化合物中分离电子部件的过程可能很繁琐。

技术实现思路

[0004]可能需要以高效的方式和低损坏风险将电子部件从晶片分离。
[0005]根据一个示例性实施例，提供了一种处理晶片的方法，其中，所述方法包括：为晶片提供分离相邻的电子部件的分离框架；在所述分离框架中形成分离沟槽；用侧壁衬里至少部分地加衬于所述分离沟槽的侧壁，用于部分地填充所述分离沟槽，同时在所述分离沟槽中保留有空隙体积区；以及通过封闭结构封闭所述分离沟槽的外部开口。
[0006]根据另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理晶片(100)的方法，其中，所述方法包括：
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为晶片(100)提供分离相邻的电子部件(102)的分离框架(104)；
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在所述分离框架(104)中形成分离沟槽(106)；
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用侧壁衬里(108)至少部分地加衬于所述分离沟槽(106)的侧壁(110)，用于部分地填充所述分离沟槽(106)，同时在所述分离沟槽(106)中保留有空隙体积区(112)；以及
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通过封闭结构(116)封闭所述分离沟槽(106)的外部开口(114)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：沿着所述分离沟槽(106)将所述电子部件(102)彼此分离。3.根据权利要求2所述的方法，其中，分离所述电子部件(102)包括以下特征中的至少一个：将晶片(100)布置在箔(118)上并通过伸展所述箔(118)使所述晶片(100)沿着所述分离沟槽(106)破裂；从与形成有分离沟槽(106)的正面(122)相反的背面(120)使所述晶片(100)变薄；去除封闭结构(116)的材料；沿着所述分离沟槽(106)断裂开所述晶片(100)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：在每个电子部件(102)的有源区域(124)中形成至少一个集成电路元件和/或围绕每个电子部件(102)的有源区域(124)形成至少一个保护沟槽(136、138)；以及至少部分地与所述集成电路元件和/或所述保护沟槽(136、138)的所述形成同时地形成所述分离沟槽(106)。5.一种电子部件(102)，包括：
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半导体本体(126)；
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在所述半导体本体(126)的中央部分中和/或中央部分上的有源区域(124)；以及
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覆盖所述半导体本体(126)的侧壁(110)的至少一部分的侧壁衬里(108)；
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其中，所述侧壁衬里(108)包括不同于所述半导体本体(126)的另一种材料；以及
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其中，所述电子部件(102)的侧壁的至少上部部分的外表面是断裂边缘(128)。6.根据权利要求5所述的电子部件(102)，其中，所述断裂边缘(128)处的粗糙度不同于、特别是高于所述侧壁衬里(108)除了所述断裂边缘(128)之外的粗糙度。7.根据权利要求5或6所述的电子部件(102)，其中，所述电子部件(102)包括处于所述断裂边缘(128)与除了断裂边缘(128)之外的所述侧壁衬里(108)之间的接合区域中的非连续部(132)、特别是台阶或锯齿结构。8.根据权利要求5至7中任一项所述的电子部件(102)，其中，所述侧壁衬里(108)包括电绝缘材料。9.根据权利要求5至8中任一项所述的电子部件(102)，其中，所述半导体本体(126)的垂直厚度(D)不大于60μm、特别是在5...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：