晶片、电子部件和使用加衬和封闭的分离沟槽的方法技术

公开了一种处理晶片(100)的方法，其中，所述方法包括：为所述晶片(100)提供分离相邻的电子部件(102)的分离框架(104)；在所述分离框架(104)中形成分离沟槽(106)；用侧壁衬里(108)至少部分地加衬于所述分离沟槽(106)的侧壁(110)，用于部分地填充所述分离沟槽(106)，同时在所述分离沟槽(106)中保留有空隙体积区(112)；以及通过封闭结构(116)封闭所述分离沟槽(106)的外部开口(114)。分离沟槽(106)的外部开口(114)。分离沟槽(106)的外部开口(114)。

【技术实现步骤摘要】
晶片、电子部件和使用加衬和封闭的分离沟槽的方法


[0001]本专利技术涉及一种晶片、一种电子部件和一种处理晶片的方法。

技术介绍

[0002]封装体可以称为例如具有电连接到并安装到外围电子设备、例如印刷电路板上的包封的电子芯片。在封装之前，将半导体晶片单个化分割成多个电子芯片。在将晶片单个化分割成单个化的电子芯片之后，晶片的电子芯片可以随后被进一步处理。
[0003]可以通过机械或激光切割晶片来实现单个化分割。然而，分离的电子部件在分离期间可能会损坏。此外，从晶片化合物中分离电子部件的过程可能很繁琐。

技术实现思路

[0004]可能需要以高效的方式和低损坏风险将电子部件从晶片分离。
[0005]根据一个示例性实施例，提供了一种处理晶片的方法，其中，所述方法包括：为晶片提供分离相邻的电子部件的分离框架；在所述分离框架中形成分离沟槽；用侧壁衬里至少部分地加衬于所述分离沟槽的侧壁，用于部分地填充所述分离沟槽，同时在所述分离沟槽中保留有空隙体积区；以及通过封闭结构封闭所述分离沟槽的外部开口。
[0006]根据另一个示例性实施例，提供了一种电子部件，所述电子部件包括：半导体本体；位于所述半导体本体的中央部分中和/或中央部分上的有源区域；以及覆盖所述半导体本体的侧壁的至少一部分的侧壁衬里，其中，所述侧壁衬里包括不同于所述半导体本体的另一种材料，并且所述电子部件的侧壁的至少上部部分的外表面是断裂边缘。
[0007]根据另一示例性实施例，提供了一种晶片，所述晶片包括：多个电子部件的阵列；分离相邻的电子部件的分离框架；位于所述分离框架中的分离沟槽；至少部分地加衬于所述分离沟槽的侧壁的侧壁衬里，用于部分地填充所述分离沟槽，同时在所述分离沟槽中保留有空隙体积区；以及封闭所述分离沟槽的外部开口的封闭结构。
[0008]根据一个示例性实施例，通过在实际分离过程之前将分离沟槽集成在分离框架中，可以以低工作量和高可靠性将晶片分离成先前在晶片化合物中连接成一体并由分离框架间隔开的各个电子部件。非常有利地，这种分离沟槽的侧壁可以至少部分地覆盖有侧壁衬里，用于在晶片的进一步处理期间保护被覆盖或钝化的侧壁免受污染(例如金属污染和/或污垢)。有利地，这可以防止电子部件的不期望的降级。此外，可以在实际分离过程之前通过封闭结构在上端处封闭分离沟槽，用于在晶片的处理期间(特别是前道工艺期间)保护沟槽的残余的空隙体积区免受污染(例如金属污染和/或污垢)。有利地，侧壁衬里以及封闭结构可以仅部分地填充相应的分离沟槽以保留其中的空隙体积区，所述空隙体积区的作用是在将晶片实际分离成各个单独的电子部件期间限定或确定预先确定的断裂点。由于相应的分离过程，断裂边缘可以在单个化分割后的电子部件处至少保留在电子部件的上部侧向表面区域中。有利地，所描述的分离框架可以允许使分离所需的时间独立于电子部件(例如实施为半导体芯片)的尺寸，并且允许以快速和高质量的方式进行可靠且低工作量的分离。
[0009]进一步示例性实施例的描述
[0010]在下面，将解释晶片、电子部件和方法的进一步的示例性实施例。
[0011]在本申请的上下文中，术语“晶片”可以特别地表示已经被处理以在晶片的电子部件的有源区域中形成多个集成电路元件并且可以被单个化分割成多个单独的电子部件或芯片的半导体衬底。例如，晶片可以具有圆盘形状并且可以包括以行和列布置而成矩阵状排列的电子部件。晶片可具有圆形几何形状或多边形几何形状(例如，矩形几何形状或三角形几何形状)。
[0012]在本申请的上下文中，术语“电子部件”可以特别地包括半导体芯片(特别是功率半导体芯片)、有源电子器件(例如晶体管)、无源电子器件(例如电容或电感或欧姆电阻)、传感器(例如压力传感器、光传感器或气体传感器)、致动器(例如扬声器)和微机电系统(MEMS，例如扬声器、包括机械弹簧的构件等)。然而，在其它实施例中，电子部件也可以是不同类型的，例如机电构件、特别是机械开关等等。
[0013]在本申请的上下文中，术语“分离框架”可以特别地表示邻近的连接成一体的电子部件之间的晶片的物理结构。例如，这样的分离框架可以包括沿着行和列延伸并且在交叉点或交叉区域中彼此连接的直的区段。
[0014]在本申请的上下文中，术语“分离沟槽”可以特别地表示从晶片的一个主表面、特别是从正面延伸到其材料、特别是半导体材料中的凹部。这样的沟槽可以具有大于一、特别是大于三、更特别是大于五的纵横比、即垂直深度与水平宽度之间的比率。特别地，分离沟槽可以是包围待与晶片分离的整个电子部件的周向封闭结构。
[0015]在本申请的上下文中，术语“侧壁衬里”可以特别地表示分离沟槽的侧壁的局部或全覆盖涂层，其材料可与晶片的或电子部件的半导体本体的邻近材料不同。这种侧壁衬里可以具有均匀或非均匀的厚度。所述侧壁衬里也可以覆盖分离沟槽的底部。
[0016]在本申请的上下文中，术语“空隙体积区”可以特别地表示分离沟槽的内部中的由侧壁衬里和封闭结构限定或界定并且可选地由半导体晶片材料限定或界定的中空区域。因此，空隙体积区可不含固体材料。例如，空隙体积区可以被成形为垂直细长的周向缝。
[0017]在本申请的上下文中，术语“封闭结构”可以特别地表示封闭分离沟槽的外部开口以由此从上侧界定空隙体积区的材料。因此，封闭结构可以将空隙体积区相对于晶片或电子部件的外部机械地解耦。封闭结构可以与侧壁衬里整体形成，或者可以是与侧壁衬里不同的单独结构。
[0018]在本申请的上下文中，术语“有源区域”可以特别地表示晶片或电子部件的半导体本体的(例如表面受限的或完全体积区的)区域，至少在所述有源区域中和/或上形成一个单片集成电路元件。特别地，这样的有源区域可以在晶片或电子部件的正面形成晶片或电子部件的表面区域。然而，有源区域也可能垂直延伸穿过整个晶片或电子部件。
[0019]在本申请的上下文中，术语“断裂边缘”可以特别地表示在电子部件的侧向位置处的粗糙或限定不明确的外表面区域，所述外表面区域是由将电子部件从一个或多个邻近的其它电子部件机械地断裂的过程产生的。特别地，这样的断裂边缘可以布置在电子部件的上部侧向位置处。然而，这样的断裂边缘也可以布置在电子部件的下部侧向位置处。电子部件的在其上部侧向位置与下部侧向位置之间的侧壁部分可以没有断裂边缘。例如，断裂边缘可以侧向突出超过电子部件的位于上部侧向位置与下部侧向位置之间的所述中央侧壁
部分。断裂边缘的特征可能在于具有由断裂过程产生的随机表面轮廓的限定不明确的表面形貌。因此，断裂边缘、粗糙边缘或废边缘可以对应于当通过断裂将电子部件从晶片化合物单个化分割时获得的断裂轨迹或断裂线。因此，与侧壁衬里的外表面相比，断裂边缘可以具有较低程度的空间秩序。
[0020]在一个实施例中，所述方法包括沿着分离沟槽将电子部件彼此分离。为此目的，所述晶片可以沿着分离沟槽并且因此沿着以彼此平行的行和以彼此平行且与行垂直的列延伸的分离线分离。
[0021]特别地，所描述的分离可以通过以下四个选择中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理晶片(100)的方法，其中，所述方法包括：
·
为晶片(100)提供分离相邻的电子部件(102)的分离框架(104)；
·
在所述分离框架(104)中形成分离沟槽(106)；
·
用侧壁衬里(108)至少部分地加衬于所述分离沟槽(106)的侧壁(110)，用于部分地填充所述分离沟槽(106)，同时在所述分离沟槽(106)中保留有空隙体积区(112)；以及
·
通过封闭结构(116)封闭所述分离沟槽(106)的外部开口(114)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括：沿着所述分离沟槽(106)将所述电子部件(102)彼此分离。3.根据权利要求2所述的方法，其中，分离所述电子部件(102)包括以下特征中的至少一个：将晶片(100)布置在箔(118)上并通过伸展所述箔(118)使所述晶片(100)沿着所述分离沟槽(106)破裂；从与形成有分离沟槽(106)的正面(122)相反的背面(120)使所述晶片(100)变薄；去除封闭结构(116)的材料；沿着所述分离沟槽(106)断裂开所述晶片(100)。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法包括：在每个电子部件(102)的有源区域(124)中形成至少一个集成电路元件和/或围绕每个电子部件(102)的有源区域(124)形成至少一个保护沟槽(136、138)；以及至少部分地与所述集成电路元件和/或所述保护沟槽(136、138)的所述形成同时地形成所述分离沟槽(106)。5.一种电子部件(102)，包括：
·
半导体本体(126)；
·
在所述半导体本体(126)的中央部分中和/或中央部分上的有源区域(124)；以及
·
覆盖所述半导体本体(126)的侧壁(110)的至少一部分的侧壁衬里(108)；
·
其中，所述侧壁衬里(108)包括不同于所述半导体本体(126)的另一种材料；以及
·
其中，所述电子部件(102)的侧壁的至少上部部分的外表面是断裂边缘(128)。6.根据权利要求5所述的电子部件(102)，其中，所述断裂边缘(128)处的粗糙度不同于、特别是高于所述侧壁衬里(108)除了所述断裂边缘(128)之外的粗糙度。7.根据权利要求5或6所述的电子部件(102)，其中，所述电子部件(102)包括处于所述断裂边缘(128)与除了断裂边缘(128)之外的所述侧壁衬里(108)之间的接合区域中的非连续部(132)、特别是台阶或锯齿结构。8.根据权利要求5至7中任一项所述的电子部件(102)，其中，所述侧壁衬里(108)包括电绝缘材料。9.根据权利要求5至8中任一项所述的电子部件(102)，其中，所述半导体本体(126)的垂直厚度(D)不大于60μm、特别是在5...

【专利技术属性】
技术研发人员：O，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：