半导体晶圆的切割方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体晶圆的切割方法，其先对UV胶带进行光照处理，使得UV胶带的粘度处于15

【技术实现步骤摘要】
半导体晶圆的切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是涉及一种半导体晶圆的切割方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体晶圆切割方法普遍是通过机械加工来实现，其工艺流程一般是先将半导体晶圆底部粘接到陶瓷基板上，然后将陶瓷基板固定在切割台上，再用刀具对半导体晶圆进行打磨切割。但是，在上述粘接晶圆的过程中所用的胶水粘接力强，容易造成半导体晶圆的脆裂和内应力的增加，并且在切割完成后，半导体晶圆在分离过程中比较困难，胶水很难融化，也会造成一定程度的破坏。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的目的是提供一种半导体晶圆的切割方法，其能够避免现有技术通过将半导体晶圆粘接到陶瓷基板的方式造成半导体晶圆破坏的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体晶圆的切割方法，包括：
[0005]对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in；
[0006]将半导体晶圆的背面粘接在所述UV胶带；
[0007]使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割；
[0008]在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in；
[0009]分离半导体晶圆和所述UV胶带。
[0010]作为优选方案，在所述对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in之前，还包括：<br/>[0011]将UV胶涂在透明塑料薄膜的表面，得到UV胶带；其中，UV胶的粘度为22
‑
25N/in。
[0012]作为优选方案，所述对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，具体包括：
[0013]使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，其中，紫外光的光照强度为：3000
‑
4000mj/CM2。
[0014]作为优选方案，所述使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，具体为：
[0015]使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为2秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in。
[0016]作为优选方案，所述将半导体晶圆的背面粘接在所述UV胶带，具体包括：
[0017]将半导体晶圆的背面粘贴在所述UV胶带并压实；
[0018]对UV胶带进行光照处理，并使所述UV胶带固化。
[0019]作为优选方案，所述对UV胶带进行光照处理，并使所述UV胶带固化，具体包括：
[0020]使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为70
‑
80秒，其中，紫外光的光照强度为：
3000
‑
4000mj/CM2；
[0021]使所述UV胶带固化。
[0022]作为优选方案，所述在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in，具体包括：
[0023]在半导体晶圆切割完成后，使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3分钟，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in，其中，紫外光的光照强度为：3000
‑
4000mj/CM2。
[0024]作为优选方案，所述在半导体晶圆切割完成后，使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3分钟，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in，具体为：
[0025]在半导体晶圆切割完成后，使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为2分钟，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in。
[0026]相比于现有技术，本专利技术实施例的有益效果在于：本专利技术实施例提供了一种半导体晶圆的切割方法，先对UV胶带进行光照处理，使得UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，然后将半导体晶圆的背面粘接在UV胶带，从而将半导体晶圆固定在UV胶带，接着使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割，在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in，此时半导体晶圆与UV胶带之间的粘合力比较小，所以分离半导体晶圆和所述UV胶带时不会对半导体晶圆造成伤害，同时大大降低了操作难度。
附图说明
[0027]图1是本专利技术实施例的半导体晶圆的切割方法的流程图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]请参阅图1所示，其是本专利技术实施例的半导体晶圆的切割方法的流程图。
[0030]本专利技术实施例的半导体晶圆的切割方法包括：
[0031]步骤S101，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in；
[0032]步骤S102，将半导体晶圆的背面粘接在所述UV胶带；
[0033]步骤S103，使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割；
[0034]步骤S104，在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in；
[0035]步骤S105，分离半导体晶圆和所述UV胶带。
[0036]在本专利技术实施例中，先对UV胶带进行光照处理，使得UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，然后将半导体晶圆的背面粘接在UV胶带，从而将半导体晶圆固定在UV胶带，接着使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割，在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in，此时半导体晶圆与UV胶带之间的粘合力比较小，所以分离半导体晶圆和所述UV胶带时不会对半导体晶圆造成伤
害，同时大大降低了操作难度。
[0037]在具体实施当中，所述透光夹具例如可以是透明夹具，通过透光夹具固定，以使得当通过UV胶带固定在切割台后，也能够对UV胶带进行光照，从而能够根据需要改变UV胶带的粘度，进而能够便于加工后将半导体晶圆与UV胶带分离。
[0038]在一种可选的实施方式中，在所述步骤S101“对U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括：对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in；将半导体晶圆的背面粘接在所述UV胶带；使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割；在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02
‑
0.03N/in；分离半导体晶圆和所述UV胶带。2.如权利要求1所述的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，在所述对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in之前，还包括：将UV胶涂在透明塑料薄膜的表面，得到UV胶带；其中，UV胶的粘度为22
‑
25N/in。3.如权利要求1所述的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，所述对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，具体包括：使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，其中，紫外光的光照强度为：3000
‑
4000mj/CM2。4.如权利要求3所述的半导体晶圆的切割方法，其特征在于，所述使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为1
‑
3秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in，具体为：使用紫外光照射所述UV胶带，照射时长为2秒，使所述UV胶带的粘度处于15
‑
20N/in。5.如权利要求1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：宿志影，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：