半导体芯片的表面处理方法技术

技术编号:41518982 阅读:26 留言:0更新日期:2024-05-30 14:54
本发明专利技术的半导体芯片的表面处理方法,包括:第一掩膜覆盖于半导体芯片上,第一遮挡区域覆盖线圈部分,第一镂空区域使未形成线圈部分的基体暴露在外;在第一镂空区域上沉积第一碳涂层;移除第一掩膜,采用第二掩膜覆盖于半导体芯片上,第二遮挡区域覆盖于第一碳涂层,第二镂空区域使线圈部分暴露在外;以及在第二镂空区域上沉积第二碳涂层。经处理后的半导体芯片的基体以及线圈部分上均形成具有良好抗静电性能的碳涂层,从而提高半导体芯片的抗静电放电性能,尤其是线圈部分不容易被静电击穿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体芯片的表面处理方法


技术介绍

1、半导体生产制造领域中,抗静电放电(esd)是不可忽视的一个重要性能指标。因而多通常采用esd材料,、各种辅助资材的接地线安装来进行防静电放电处理,以保障半导体生产的顺利进行。然而,在半导体芯片在后续的实际工作过程中,常出现对静电放电现象估计不足的情况,半导体芯片的镍铁线圈而在半导体在后续的实际工作过程中,所产生的静电现象估计不足,从而使内部的镍铁线圈在半导体工作中被容易被静电击穿,从而缩短半导体芯片的使用寿命。

2、因此,有必要提供一种半导体芯片的表面处理方法以克服以上缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体芯片的表面处理方法,经处理后的半导体芯片的基体以及线圈部分上均形成具有良好抗静电性能的碳涂层,从而提高半导体芯片的抗静电放电性能,尤其是线圈部分不容易被静电击穿。

2、为实现上述目的,本专利技术提供一种半导体芯片的表面处理方法,所述半导体芯片包括基体以及形成于局部的所述基体上的线本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体芯片的表面处理方法,所述半导体芯片包括基体以及形成于局部的所述基体上的线圈部分,其特征在于,所述表面处理方法包括:

2.如权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,沉积所述第一碳涂层和所述第二碳涂层的工艺包括:在氩气氛围下,控制气体压力为9至12毫托,使用碳靶,并控制功率为400-600W,工作电压为-20至-100V。

3.如权利要求2所述的表面处理方法,其特征在于:沉积所述第一碳涂层和所述第二碳涂层的时间为20-25分钟。

4.如权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于:所述第一碳涂层的沉积厚度为1.5nm-3.0nm。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体芯片的表面处理方法,所述半导体芯片包括基体以及形成于局部的所述基体上的线圈部分,其特征在于,所述表面处理方法包括:

2.如权利要求1所述的表面处理方法,其特征在于,沉积所述第一碳涂层和所述第二碳涂层的工艺包括:在氩气氛围下,控制气体压力为9至12毫托,使用碳靶,并控制功率为400-600w,工作电压为-20至-100v。

3.如权利要求2所述的表面处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员:万知武
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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