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本发明的半导体芯片的表面处理方法，包括：第一掩膜覆盖于半导体芯片上，第一遮挡区域覆盖线圈部分，第一镂空区域使未形成线圈部分的基体暴露在外；在第一镂空区域上沉积第一碳涂层；移除第一掩膜，采用第二掩膜覆盖于半导体芯片上，第二遮挡区域覆盖于第一碳...
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