切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，该方法包括：获取多个芯片在晶圆上的排布图纸，排布图纸包括多个芯片在晶圆上的排布信息，排布信息中定义了多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片，第二方向与第一方向垂直；读取排布图纸中的排布信息；形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，第一内切割道位于每相邻两排芯片之间并延伸至晶圆的相对两端；以及形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，第二内切割道位于每一排的相邻芯片之间。本发明专利技术提供的切割道的形成方法，通过读取图纸中多个芯片在晶圆上的排布信息自动形成切割道，减少人工操作。减少人工操作。减少人工操作。

【技术实现步骤摘要】
切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及半导体封装
，尤其涉及一种切割道的形成方法及形成装置、计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体芯片封装工艺中，需要对晶圆进行切割以得到独立的芯片。在切割晶圆之前，需要在晶圆上的相邻芯片之间划分切割道，使得在使用激光进行切割时，激光可沿着切割道对晶圆进行切割。目前切割道的制作方法是根据多个芯片在晶圆上的排布图纸手动画切割道，效率较低。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种切割道的形成方法、切割道形成装置以及计算机可读存储介质，可根据图纸自动形成切割道，而减少人工操作并提高晶圆切割的效率。
[0004]一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，所述晶圆上生长有多个芯片，所述切割道的形成方法包括：获取所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，所述排布图纸包括所述多个芯片在所述晶圆上的排布信息，所述排布信息包括芯片的布局信息，所述布局信息中定义了多个芯片呈多排排列的布局情况，其中，多排芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切割道的形成方法，用于形成定义晶圆的切割中的切割轨迹的切割道，所述晶圆上生长有多个芯片，其特征在于，所述切割道的形成方法包括：获取所述多个芯片在所述晶圆上的排布图纸，所述排布图纸包括所述多个芯片在所述晶圆上的排布信息，所述排布信息包括芯片的布局信息，所述布局信息中定义了多个芯片呈多排排列的布局情况，其中，多排芯片沿第一方向间隔排列，每排芯片包括沿第二方向间隔排列的至少一个芯片，所述第二方向与所述第一方向垂直；读取所述排布图纸中的排布信息；根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，所述第一内切割道位于每相邻两排芯片之间并延伸至所述晶圆的相对两端；以及根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，所述第二内切割道位于每一排的相邻芯片之间。2.如权利要求1所述的切割道的形成方法，其特征在于，在所述形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道之前，所述方法还包括：获取所述多个芯片的坐标信息，包括：以所述晶圆的排布有所述多个芯片的表面的预设位置为坐标原点，以所述第二方向为坐标横轴，以所述第一方向为坐标纵轴，在所述晶圆的表面建立平面直角坐标系，获取每一芯片的端点在所述平面直角坐标系中的坐标值，所述端点的坐标值包括所述端点的横坐标值和端点的纵坐标值，所述端点为每一芯片在所述晶圆上的正投影的端点；所述根据所述读取的排布信息，形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及根据所述读取的排布信息，形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道；以及根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道。3.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成沿第二方向延伸至所述晶圆的相对两端的第一边缘切割道，所述第一边缘切割道位于所述多排芯片在第一方向上的相对两侧。4.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二边缘切割道，每一第二边缘切割道位于每一排芯片在第二方向上的相对两侧。5.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第二方向延伸的第一内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道；其中，在每相邻的两排芯片之间形成沿第二方向延伸的第一内切割道，进一步包括：选择相邻的两排芯片在第一方向上分别包括的第一芯片和第二芯片，其中，所述第一芯片的端点的纵坐标值大于所述第二芯片的端点的纵坐标值，所述第一芯片的第一边与第
二芯片的第二边靠近，所述第一芯片和第二芯片为所述相邻的两排芯片中在第一方向上相邻的任意两个芯片；根据所述第一边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第一边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第一边上的端点的纵坐标值减去一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；或者，根据所述第二边上的端点的坐标值以及所述第一芯片与第二芯片的间距，确定所述第一内切割道的第一起始点的坐标值，所述第一起始点的横坐标值等于所述第二边上的端点的横坐标值，所述第一起始点的纵坐标值等于所述第二边上的端点的纵坐标值加上一半的所述第一芯片与第二芯片的间距；从所述第一起始点沿所述第二方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第一内切割道。6.如权利要求2所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述排布信息还包括相邻两个芯片的间距，所述根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息形成多个沿第一方向延伸的第二内切割道，包括：根据所述读取的排布信息以及所述多个芯片的坐标信息，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道；其中，在第二方向上每相邻的两个芯片之间形成沿第一方向延伸的第二内切割道，进一步包括：选择在第二方向上相邻的第三芯片和第四芯片，其中，所述第三芯片的端点的横坐标值小于所述第四芯片的端点的横坐标值，所述第三芯片的第三边与第四芯片的第四边靠近，所述第三芯片和第四芯片为在第二方向上正对的任意两个芯片；根据所述第三边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第三边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第三边上的端点的横坐标值加上一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；或者，根据所述第四边上的端点的坐标值以及所述第三芯片与第四芯片的间距，确定所述第二内切割道的第二起始点的坐标值，所述第二起始点的纵坐标值等于所述第四边上的端点的纵坐标值，所述第二起始点的横坐标值等于所述第四边上的端点的横坐标值减去一半的所述第三芯片与第四芯片的间距；从所述第二起始点沿所述第一方向延伸至所述晶圆的相对两端而形成所述第二内切割道。7.如权利要求6所述的切割道的形成方法，其特征在于，所述方法还包括：在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值小于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第一目标部分而形成至少一个最终的第二内切割道，所述至少一个第二内切割道的第一目标部分为所述至少一个第二内切割道中纵坐标值小于位于所述至少一个第二内切割道的第二起始点与所述第五边之间的第一内切割道的纵坐标值的部分，所述第五边为所述至少一个芯片的靠近所述至少一个第二
内切割道的第二起始点的边；或者，在确定所述多个第二内切割道中的至少一个第二内切割道穿过至少一个芯片，并且所述至少一个芯片的第五边上的端点的纵坐标值大于所述至少一个第二内切割道的第二起始点的纵坐标值时，去除所述至少一个第二内切割道的第二目标部分而形成至少一个最终的第二内...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲，林浩翔，蔡明达，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：