拾取管芯的方法及使用该方法制造半导体封装的方法技术

本发明专利技术提供一种拾取管芯的方法和使用该方法制造半导体封装的方法，其中该拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域以及对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以包括第一管芯，该第一管芯是目标拾取管芯中的最外面的管芯。第(x+1)区域可以包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域并且与第x区域相比较接近拾取区域的中心，n可以是自然数，并且x可以是小于n的任意自然数。第n区域可以具有矩形形状，并且在第n区域中与第n区域的短边接触的第n管芯的数目可以是1或2。目可以是1或2。目可以是1或2。

【技术实现步骤摘要】
拾取管芯的方法及使用该方法制造半导体封装的方法


[0001]本专利技术构思涉及拾取管芯的方法和使用该方法制造半导体封装的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件通过各种工艺制造。例如，半导体器件可以通过在硅晶片上执行光刻工艺、蚀刻工艺和沉积工艺来制造。此后，晶片可以被切割成多个管芯。每个管芯可以从切割的晶片拾取并且可以堆叠在基板上。多个管芯可以堆叠在每个基板上。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了一种能够提高制造半导体封装的过程中的产量的管芯拾取方法以及使用该方法制造半导体封装的方法。
[0004]本专利技术构思的一些示例实施方式提供了一种能够在基板上集中地堆叠设置在具有高故障率的区域中的管芯的管芯拾取方法、以及使用该方法制造半导体封装的方法。
[0005]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域；以及对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以是提供有第一管芯的区域，第一管芯是目标拾取管芯中的最外面的管芯。第(x+1)区域可以包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域，其中第(x+1)区域与第x区域相比较接近拾取区域的中心，其中n是自然数，并且x可以是小于n的任意自然数。第n区域可以具有矩形形状，并且在第n区域中的第n管芯当中，与第n区域的短边接触的第n管芯的数目可以是1或2。对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤可以包括在完成对第x区域中的所有第x管芯执行拾取步骤之后，对第(x+1)区域中的第(x+1)管芯执行拾取步骤。
[0006]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域；以及对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以是提供有第一管芯的区域，该第一管芯是目标拾取管芯中的最外面的管芯。第(x+1)区域可以包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域，其中第(x+1)区域与第x区域相比较接近拾取区域的中心，其中n是自然数，并且x可以是小于n的任意自然数。第n区域可以具有矩形形状，并且在第n区域中的第n管芯当中，与第n区域的短边接触的第n管芯的数目可以是1或2。对第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤包括在完成对第(x+1)区域中的所有第(x+1)管芯执行拾取步骤之后，对第x管芯执行拾取步骤。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一区域和剩余区域；以及一个接一个地对第一区域和剩余区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以是提供有第一管芯的区域，该第一管芯中的每个具有暴露于拾取区域外部的至少一侧。剩余区域可以是提供有内部管芯的区域，其中剩余区域与第一区域相比较接近拾取区域的中心。一个接一个地对第一区
域和剩余区域中的管芯执行拾取步骤可以包括拾取第一管芯和拾取内部管芯。拾取内部管芯可以包括沿Z字形轨迹一个接一个地顺序拾取内部管芯。在完成对的第一管芯和内部管芯的组中的一组的拾取步骤之前，可以不对第一管芯和内部管芯的组中的另一组执行拾取步骤。
[0008]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种拾取管芯的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一区域、第二区域和剩余区域；以及一个接一个地拾取第一区域、第二区域和剩余区域中的管芯。第一区域可以是提供有第一管芯的区域，该第一管芯中的每个具有暴露于拾取区域外部的至少一侧。第二区域可以是提供有与第一管芯中的至少一个相邻的第二管芯的区域。剩余区域可以是提供有内部管芯的区域，其中剩余区域与第二区域相比较接近拾取区域的中心。一个接一个地拾取管芯可以包括拾取第一管芯、拾取第二管芯、以及拾取内部管芯。拾取内部管芯可以包括沿Z字形轨迹一个接一个地顺序拾取内部管芯。第一管芯的拾取和第二管芯的拾取可以不与内部管芯的拾取在时间上重叠。
[0009]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种制造半导体封装的方法可以包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一区域和第二区域；以及对第一区域和第二区域中的管芯执行拾取步骤。第一区域可以包括边缘区域和中心区域。边缘区域可以是提供有第一管芯的区域，该第一管芯中的每个具有暴露于拾取区域外部的至少一侧，并且中心区域可以是包括被切割的晶片的中心的区域。第二区域可以位于边缘区域和中心区域之间。对管芯的拾取步骤可以包括拾取第一区域中的第一管芯和拾取第二区域中的第二管芯。在完成对第一管芯和第二管芯的组中的一组的拾取步骤之前，可以不对第一管芯和第二管芯的组中的另一组执行拾取步骤。
附图说明
[0010]图1是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的制造半导体封装的系统的平面图。
[0011]图2是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的制造半导体封装的系统的一部分的侧视图。
[0012]图3A是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的制造半导体封装的方法的流程图。
[0013]图3B是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的作为制造半导体封装的方法的一部分而执行的管芯拾取方法的流程图。
[0014]图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14和图15是顺序地示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的依照图3A和图3B的流程图拾取管芯和制造半导体封装的过程的图。
[0015]图16是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式分类的晶片的区域的平面图。
[0016]图17是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的被切割的晶片的每个区域中的故障管芯的分布比例的曲线图。
[0017]图18是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的作为制造半导体封装的方法的一部分而执行的管芯拾取方法的流程图。
[0018]图19和图20是顺序地示出根据图18的流程图拾取管芯和制造半导体封装的过程的图。
[0019]图21是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的作为制造半导体封装的方法的一部分而执行的管芯拾取方法的流程图。
[0020]图22和图23是顺序地示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的依照图21的流程图拾取管芯和制造半导体封装的过程的图。
[0021]图24是示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的作为制造半导体封装的方法的一部分而执行的管芯拾取方法的流程图。
[0022]图25和图26是顺序地示出根据本专利技术构思的一些示例实施方式的依照图24的流程图拾取管芯和制造半导体封装的过程的图。
具体实施方式
[0023]现在将参照附图更全面地描述本专利技术构思的示例实施方式，在附图中示出了示例实施方式。附图中相同的附图标记表示相同的元件，因此将省略它们的描述。
[0024]将理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上或者也可以存在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拾取管芯的方法，所述方法包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域；以及对所述第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤，其中所述第一区域是提供有第一管芯的区域，所述第一管芯是所述目标拾取管芯中的最外面的管芯，其中第(x+1)区域包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个管芯相邻的管芯占据的区域，其中所述第(x+1)区域与所述第x区域相比较接近所述拾取区域的中心，其中n是自然数，其中x是小于n的任意自然数，其中所述第n区域具有矩形形状，其中在所述第n区域中的第n管芯当中，与所述第n区域的短边接触的所述第n管芯的数目为1或2，以及其中对所述第一至第n区域中的管芯执行所述拾取步骤包括在完成对所述第x区域中的所有所述第x管芯执行所述拾取步骤之后，对所述第(x+1)区域中的第(x+1)管芯执行所述拾取步骤。2.如权利要求1所述的方法，其中，当在平面图中观察时，对所述第(x+1)管芯的所述拾取步骤包括在顺时针方向上顺序拾取所述第(x+1)管芯。3.如权利要求1所述的方法，其中，当在平面图中观察时，对所述第(x+1)管芯的所述拾取步骤包括在逆时针方向上顺序拾取所述第(x+1)管芯。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第(x+1)区域仅由与所述第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域组成。5.如权利要求1所述的方法，其中n等于或大于8。6.一种拾取管芯的方法，所述方法包括：将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一至第n区域；以及对所述第一至第n区域中的管芯执行拾取步骤，其中所述第一区域是提供有第一管芯的区域，所述第一管芯是所述目标拾取管芯中的最外面的管芯，其中第(x+1)区域包括由与第x区域中的第x管芯中的至少一个相邻的管芯占据的区域，其中所述第(x+1)区域与所述第x区域相比较接近所述拾取区域的中心，其中n是自然数，其中x是小于n的任意自然数，其中所述第n区域具有矩形形状，其中在所述第n区域中的第n管芯当中，与所述第n区域的短边接触的所述第n管芯的数目为1或2，以及其中对所述第一至第n区域中的管芯执行所述拾取步骤包括在完成对所述第(x+1)区域中的所有第(x+1)管芯执行所述拾取步骤之后，对所述第x管芯执行所述拾取步骤。7.如权利要求6所述的方法，其中，当在平面图中观察时，对所述第x管芯的所述拾取步骤包括在顺时针或逆时针方向上顺序拾取所述第x管芯。8.一种拾取管芯的方法，所述方法包括：
将其中放置目标拾取管芯的被切割的晶片的拾取区域分成第一区域和剩余区域；以及一个接一个地对所述第一区域和所述剩余区域中的管芯执行拾取步骤，其中所述第一区域是提供有第一管芯的区域，所述第一管芯中的每个具有暴露于所述拾取区域的外部的至少一侧，其中所述剩余区域是提供有内部管芯的区域，其中所述剩余区域与所述第一区域相比较接近所述拾取区域的中心，其中一个接一个地对所述第一区域和所述剩余区域中的所述管芯执行所述拾取步骤包括拾取所述第一管芯，以及拾取所述内部管芯，其中，拾取所述内部管芯包括沿Z字形轨迹一个接一个地顺序拾取所述内部管芯，以及其中，在完成对所述第一管芯和所述内部管芯的组中的一组的所述拾取步骤之前，不对所述第一管芯和所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁美贞，郑英释，郑镇星，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：