芯片封装方法技术

本发明专利技术属于半导体加工领域，具体的说是芯片封装方法，提供半成品的晶圆，晶圆上设置有切割需要用到的切割道和芯片的金属焊垫，金属焊垫采用选择性形成工艺在其表面形成球下金属电极；对晶圆切割前需要在晶圆表面覆盖保护层，保护层覆盖在切割道上，并且保护层不覆盖在晶圆上和球下金属电极所在的区域，球下金属电极的表面上形成焊球，随后沿着晶圆表面的切割道使用切割晶圆设备内刀架上的刀具对其进行划片；二氧化碳气体能够沿着管道进入喷管内与去离子水混合，可以增强去离子水的导电性，避免静电破坏和静电吸附细小粉尘，进一步地避免对晶粒造成污染，二氧化碳管进入喷管的通道为两条，可以加快二氧化碳与去离子水混合的速率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装方法


[0001]本专利技术属于半导体加工
，具体的说是芯片封装方法。

技术介绍

[0002]半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体的原材料在进行加工时需要使用到划片机，通过划片机对半导体原材料进行切割，进而方便半导体原材料进行进一步的加工。
[0003]公开号为CN102034721B的一项中国专利公开了芯片封装方法，其技术方案要点是：提供半封装晶圆，所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫；采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成球下金属电极；在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层，且所述保护层覆盖于所述切割道上；在所述球下金属电极上形成焊球；沿切割道对晶圆进行划片。该专利技术能够使得切割道内的金属在制作球下金属电极时不受到影响，且在切割后能够保护分立芯片的侧面，工艺流程简单，提高了封装效率以及成品率。
[0004]现有及上述技术中的晶圆在进行封装时均需要对晶圆进行划片，划片的刀具在切割过程中高速旋转，需要使用去离子水对切割处进行降温，冲洗的去离子水通常压力较高，与刀具接触时易导致刀具崩裂，并且切割时会产生细小的粉末，传统的去离子水在冲洗时易吸附细小粉末并残留在晶圆表面，对晶粒造成污染。
[0005]因此，本专利技术提供芯片封装方法。

技术实现思路

[0006]为了弥补现有技术的不足，解决
技术介绍
中所提出的至少一个技术问题。
[0007]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：本专利技术所述的芯片封装方法；该方法步骤如下：
[0008]S1：提供半成品的晶圆，晶圆上设置有切割需要用到的切割道和芯片的金属焊垫，金属焊垫采用选择性形成工艺在其表面形成球下金属电极；
[0009]S2：对晶圆切割前需要在晶圆表面覆盖保护层，保护层覆盖在切割道上，并且保护层不覆盖在晶圆上和球下金属电极所在的区域；
[0010]S3：球下金属电极的表面上形成焊球，随后沿着晶圆表面的切割道使用切割晶圆设备内刀架上的刀具对其进行划片。
[0011]优选的，所述刀架的内部设置有刀具，所述刀架的表面固定安装有一组固定套环，所述固定套环的内壁固定安装有喷管，所述喷管的内部设置有去离子水，所述喷管的表面通过控制组件固定安装有二氧化碳管，所述喷管的表面固定安装有固定环，所述固定环的表面固定安装有一组稳定杆，所述稳定杆远离固定环的一端固定安装有半球形挡板，所述半球形挡板的内壁开设有扩散孔，所述半球形挡板下段的表面开设有通口；切割晶圆时，打开喷管的阀门，喷管内的去离子水对刀具和晶圆的切割处进行冲洗和降温，喷管中的去离
子水喷在半球形挡板内与扩散孔相互配合，减轻去离子水喷射的压力，避免喷出的高压去离子水直接与刀具接触，防止刀具崩裂，且喷洒的范围更广，增强清洗的效果，并且部分去离子水会沿着通口喷出，直接对晶圆表面冲洗，将切割时产生的细小粉尘冲进一步清理干净，并且在清洗时打开二氧化碳管的阀门，二氧化碳气体能够沿着管道进入喷管内与去离子水混合，可以增强去离子水的导电性，避免静电破坏和静电吸附细小粉尘，进一步地避免对晶粒造成污染，二氧化碳管进入喷管的通道为两条，可以加快二氧化碳与去离子水混合的速率。
[0012]优选的，所述控制组件包括固定安装在喷管表面的套管，所述套管的内壁固定安装有定位板，所述定位板的内壁转动安装有旋转轴，所述旋转轴的一端固定安装有叶片，所述叶片的表面固定安装有一组第一磁块，所述套管的表面固定安装有一组进气套筒，所述二氧化碳管与进气套筒的表面固定连接且二者相连通，所述进气套筒的内壁固定安装有弹簧，所述弹簧的另一端固定安装有第二磁块，所述第二磁块与进气套筒的内壁滑动密封连接，所述第一磁块和第二磁块靠近时相互排斥；去离子水经过套管时与叶片接触，叶片在旋转轴的表面转动，当叶片表面的第一磁块靠近进气套筒内的第二磁块时，第二磁块受到斥力远离第一磁块并压缩弹簧，当第二磁块远离二氧化碳管时，二氧化碳管内的二氧化碳沿着进气套筒进入套管内与去离子水进行混合，叶片表面的第一磁块远离第二磁块时，弹簧带动第二磁块复位将二氧化碳管的管口堵住，实现间断式加气(气为二氧化碳)的效果，并且当二氧化碳进入套管内时，转动的叶片将二氧化碳打散，加快与去离子水的混合，从而达到了增强二氧化碳与去离子水的混合速率，进而达到增强清理效果。
[0013]优选的，所述喷管的内壁固定安装有膜片，所述膜片与喷管的内壁之间形成有空腔，所述进气套筒的表面固定安装有连接管，所述连接管远离进气套筒的一端与喷管固定连接，所述空腔通过连接管与进气套筒连通；二氧化碳进入喷管内后，会有部分形成气泡附着在管道内壁，当第二磁块挤压弹簧时，进气套筒内的气体会沿着连接管进入膜片与喷管之间形成的空腔内，在第二磁块地来回运动中，膜片会发生形变，不停地抖动，扰乱水流，从而使得二氧化碳形成的气泡无法附着在喷管内壁，积极地与去离子水进行混合。
[0014]优选的，所述膜片的表面开设有一组喷孔，所述喷孔的内部均设置有单向阀，所述进气套筒的表面均固定安装有进气管，所述进气管的内部均设置有单向阀；进气套筒内的气体进入空腔内时，部分的空气会沿着喷孔喷出，喷孔间歇性的喷气可以进一步地防止二氧化碳气泡附着在喷管内壁上，当弹簧带动第二磁块复位时，喷孔内的单向阀关闭，防止去离子水进入空腔内，进气管内的单向阀会打开向进气套筒内充气。
[0015]优选的，所述套管的内壁均固定安装有横杆，所述横杆的表面固定安装有海绵垫；二氧化碳进入进气套筒内向套管内流动时，经过海绵垫，海绵垫将二氧化碳分割成大量的小气泡，能够加快二氧化碳与去离子水的混合速度。
[0016]优选的，所述海绵垫呈圆形设置，所述海绵垫位于第二磁块与横杆之间；每当弹簧带动第二磁块复位时，第二磁块与横杆相互配合挤压海绵垫，将海绵垫内部的残留的二氧化碳气泡挤出，防止二氧化碳气泡残留在海绵垫内。
[0017]优选的，所述套管的内壁固定安装有一组弧形挡片，所述弧形挡片呈弧形设置且均位于第一磁块的圆周运动轨迹上；当叶片带动第一磁块旋转时，第一磁块转动时敲击弧形挡片，弧形挡片带动喷管震动，喷管震荡将喷管内附着的气泡震动，并且震荡可以达到搅
拌去离子水和二氧化碳的效果。
[0018]步骤S3还包括以下步骤：
[0019]S3a：刀具对晶圆进行切割时，打开喷管的阀门，喷管内的去离子水对刀具切割晶圆处进行冲洗，喷管中的去离子水喷在半球形挡板内；
[0020]S3b：去离子水与扩散孔相互配合，扩散孔将去离子水分割成多道水柱，提升去离子水在喷射时的喷洒范围；
[0021]S3c：部分去离子水会沿着通口喷出，对晶圆表面冲洗，将切割时产生的细小粉尘冲洗掉；
[0022]S3d：打开二氧化碳管的阀门，二氧化碳气体沿着管道进入喷管内与去离子水进一步混合，增强去离子水的导电性；
[0023]S3e：二氧化碳管进入喷管的通道为两条，二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法；其特征在于：该方法步骤如下：S1：提供半成品的晶圆，晶圆上设置有切割需要用到的切割道和芯片的金属焊垫，金属焊垫采用选择性形成工艺在其表面形成球下金属电极；S2：对晶圆切割前需要在晶圆表面覆盖保护层，保护层覆盖在切割道上，并且保护层不覆盖在晶圆上和球下金属电极所在的区域；S3：球下金属电极的表面上形成焊球，随后沿着晶圆表面的切割道使用切割晶圆设备内刀架(1)上的刀具(2)对其进行划片。2.根据权利要求1所述的芯片封装方法，其特征在于：所述刀架(1)的内部设置有刀具(2)，所述刀架(1)的表面固定安装有一组固定套环(3)，所述固定套环(3)的内壁固定安装有喷管(4)，所述喷管(4)的内部设置有去离子水，所述喷管(4)的表面通过控制组件固定安装有二氧化碳管(5)，所述喷管(4)的表面固定安装有固定环(6)，所述固定环(6)的表面固定安装有一组稳定杆(7)，所述稳定杆(7)远离固定环(6)的一端固定安装有半球形挡板(8)，所述半球形挡板(8)的内壁开设有扩散孔(9)，所述半球形挡板(8)下段的表面开设有通口。3.根据权利要求2所述的芯片封装方法，其特征在于：所述控制组件包括固定安装在喷管(4)表面的套管(10)，所述套管(10)的内壁固定安装有定位板(11)，所述定位板(11)的内壁转动安装有旋转轴(12)，所述旋转轴(12)的一端固定安装有叶片(13)，所述叶片(13)的表面固定安装有一组第一磁块(16)，所述套管(10)的表面固定安装有一组进气套筒(14)，所述二氧化碳管(5)与进气套筒(14)的表面固定连接且二者相连通，所述进气套筒(14)的内壁固定安装有弹簧(15)，所述弹簧(15)的另一端固定安装有第二磁块(17)，所述第二磁块(17)与进气套筒(14)的内壁滑动密封连接，所述第一磁块(16)和第二磁块(17)靠近时相互排斥。4.根据权利要求3所述的芯片封装方法，其特征在于：所述喷管(4)的内壁固定安装有膜片(18)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠军，胡一兵，
申请(专利权)人：李忠军，
类型：发明
国别省市：