制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜技术

提供一种制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜。所述方法包括：制备包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层的保护膜；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年9月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0124642的优先权，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。


[0003]本公开涉及一种制造半导体封装件的方法及其使用的保护膜。

技术介绍

[0004]近来，可以提供通过使用直接接合减小堆叠的半导体芯片之间的互连长度而具有高集成度以及高处理速度和宽带宽的半导体封装件。为了实现直接接合，实现在半导体晶片的切割工艺期间使粘附到表面的异物最小化的技术是有利的。

技术实现思路

[0005]一方面提供一种用于制造半导体封装件以简化工艺并使半导体晶片的表面上的异物最小化的方法及其使用的保护膜。
[0006]根据一个或更多个实施例的一方面，提供了一种方法，包括：制备包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层的保护膜；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带(dicing tape)的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。
[0007]根据一个或更多个实施例的另一方面，提供了一种方法，包括：制备具有后表面和与所述后表面相对定位的前表面的半导体晶片，所述半导体晶片包括与所述后表面相邻的后焊盘、与所述前表面相邻的前焊盘和将所述后焊盘电连接到所述前焊盘的贯通电极；将包括基膜和保护层的保护膜安装在所述半导体晶片上，使得所述保护层设置在所述半导体晶片的所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。
[0008]根据一个或更多个实施例的又一方面，提供了一种方法，包括：制备具有第一后表面和与所述第一后表面相对定位的第一前表面的第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括设置在所述第一前表面上的第一前焊盘；将包括基膜和保护层的保护膜安装在所述第一半导体晶片上，使得所述保护层设置在所述第一半导体晶片的所述第一前表面上；用切割激光照射所述第一半导体晶片的所述第一后表面；从所述第一半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述第一半导体晶片分割成第一半导体芯片；从所述第一半导体芯片去除所述保护层；以及将所述第一半导体芯片设置在具有第二后表面和与所述第二后表面相对的第二前表面的第二半导体晶片上，所述第二半导体晶片包括设置在所述第二后表面上的
第二后焊盘和设置在所述第二前表面上的第二前焊盘，所述第一前焊盘与所述第二后焊盘或与所述第二前焊盘直接接触。
[0009]根据一个或更多个实施例的再一方面，提供了一种半导体晶片的保护膜，所述保护膜包括基膜和层叠在所述基膜的表面上的保护层，其中，所述保护层包括聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或离子聚合物。
附图说明
[0010]从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解上述和其他方面，其中：
[0011]图1是示出根据实施例的制造半导体封装件的方法的工艺流程图；
[0012]图2至图7是示出根据各种实施例的图1中的制造半导体封装件的方法的顺序工艺的截面图；
[0013]图8是示出根据实施例的制造半导体封装件的方法的工艺流程图；
[0014]图9是示出根据各种实施例的用于制造图8中的半导体封装件的制造方法的部分制造工艺的截面图；
[0015]图10是示出根据实施例制造的半导体封装件的示例的截面图；
[0016]图11是示出根据实施例制造的半导体封装件的示例的截面图；以及
[0017]图12是示出根据实施例制造的半导体封装件的示例的截面图。
具体实施方式
[0018]在下文中，将参考附图描述各种示例实施例。
[0019]图1是示出根据实施例的制造半导体封装件的方法(S100)的工艺流程图。图2至图7是示出根据各种实施例的根据图1的制造半导体封装件的方法(S100)的制造工艺的截面图。
[0020]首先，参考图1和图2，可以制备包括基膜11和保护层12的保护膜10(S110)。例如，保护膜10可以包括层叠在基膜11的表面上的保护层12。
[0021]在一些实施例中，使用包括用于保护固定到卡盘的半导体晶片的表面的基膜11和用于防止异物(例如，硅残留物)附接在半导体晶片的表面上的保护层12的保护膜10，可以将附接基膜11的工艺和涂覆保护层12的工艺作为一个工艺来执行。因此，可以简化工艺，从而可以降低半导体封装件的制造成本并且可以使半导体晶片的表面上的异物最小化。此外，在使用具有最少的表面异物的半导体晶片和/或半导体芯片的半导体晶片与半导体芯片之间、半导体芯片之间、或半导体晶片之间直接接合的情况下，可以防止由附接到表面上的异物引起缺陷(例如，出现空洞)。
[0022]基膜11可以是保护层12的支撑体，并且可以通过UV照射、加热或加压与保护层12分离。基膜11可以由树脂膜形成，构成基膜11的树脂没有特别限制。例如，基膜11可以包括聚烯烃(PO)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯醚酮(PEEK)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)或乙烯醋酸乙烯酯(EVA)中的至少一种。基膜11可以形成为各种厚度。例如，在一些实施例中，基膜11的厚度可以在约10μm至约200μm的范围内。
[0023]保护层12可以以层叠状态设置在基膜11上，并且可以通过形成和固化热固性树脂或通过将热塑性树脂形成膜来形成保护层12。可以使用如下树脂来形成保护层12：该树脂
能够确保对基膜11和半导体晶片(图3中的100W)的粘合性且能够防止异物侵入，并且在切割半导体晶片之后具有清洁特性。例如，保护层12可以包括油溶性树脂或水溶性树脂。保护层12可以形成为各种厚度。例如，在一些实施例中，保护层12的厚度可以在约1μm至约50μm的范围内。
[0024]油溶性树脂可以包括：包括其中醇或胺通过与异氰酸酯反应而聚合的脲基团的聚氨酯树脂或者诸如聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚丙烯(PP)的热塑性树脂。在一些实施例中，热塑性树脂的分子量可以在约1000Mw至100000Mw的范围内。
[0025]水溶性树脂可以包括聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或具有离子官能团的离子聚合物。
[0026]根据实施例，保护膜10还可以包括设置在基膜11与保护层12之间的粘合剂层13。粘合剂层13可以固定基膜11和保护层12，并且可以在去除基膜11的工艺中和基膜11一起与保护层12分离(见图5)。粘合剂层13可以包括例如橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、聚乙烯醚类粘合剂等。根据实施例，粘合剂层13可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体封装件的方法，包括：制备保护膜，所述保护膜包括基膜和层压在所述基膜的表面上的保护层；将所述保护膜安装在半导体晶片上，所述半导体晶片具有附接到切割带的后表面和与所述后表面相对定位的前表面，所述保护层被设置在所述前表面上；用切割激光照射所述半导体晶片的所述后表面；从所述半导体晶片去除所述保护膜的所述基膜；将所述半导体晶片分割成各个半导体芯片；以及从所述各个半导体芯片去除所述保护层。2.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述基膜包括聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醚酮、聚酰亚胺、聚氯乙烯或乙烯醋酸乙烯酯。3.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述保护层包括油溶性树脂或水溶性树脂。4.根据权利要求3所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述保护层包括所述油溶性树脂，并且所述油溶性树脂包括聚氨酯树脂或热塑性树脂。5.根据权利要求4所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述油溶性树脂包括聚氨酯树脂，并且所述聚氨酯树脂包括其中醇或胺通过与异氰酸酯反应聚合而成的脲基。6.根据权利要求4所述的制造半导体封装件的方法，其中所述油溶性树脂包括所述热塑性树脂，并且所述热塑性树脂具有1000Mw至100000Mw的分子量。7.根据权利要求3所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述保护层包括水溶性树脂，并且所述水溶性树脂包括聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或离子聚合物。8.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述保护膜还包括设置在所述基膜与所述保护层之间的粘合剂层。9.根据权利要求8所述的制造半导体封装件的方法，其中，在去除所述基膜时，所述粘合剂层与所述基膜一起被去除。10.根据权利要求8所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述粘合剂层包括丙烯酸树脂。11.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述照射在所述半导体晶片的内部形成变形区域。12.根据权利要求11所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述分割包括使所述切割带伸展，以从作为起点的所述变形区域开始将所述半导体晶片分割成所述各个半导体芯片。13.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中，所述保护层与所述半导体晶片一起被分割。14.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，还包括在去除所述保护层之前将所述各个半导体芯片输送到支撑衬底。15.根据权利要求1所述的制造半导体封装件的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：李铣浩，金沅槿，严明彻，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：