板状的被加工物的加工方法技术

本发明专利技术提供板状的被加工物的加工方法，无需进行对板状的被加工物进行支承的框架的维护，生产率良好。该板状的被加工物的加工方法包含如下的工序：被加工物支承工序，在具有比板状的被加工物大的面积的热压接片上配设板状的被加工物，将热压接片加热而压接于板状的被加工物，仅利用热压接片对板状的被加工物进行支承；加工工序，实施用于将板状的被加工物分割成多个芯片的加工；以及拾取工序，从热压接片拾取芯片。接片拾取芯片。接片拾取芯片。

【技术实现步骤摘要】
板状的被加工物的加工方法


[0001]本专利技术涉及板状的被加工物的加工方法。

技术介绍

[0002]在由分割预定线划分的正面上形成有IC、LSI等器件的晶片通过切削装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
[0003]上述晶片在分割成各个器件芯片之后，在保持晶片的形态的状态下实施拾取工序，因此以往例如将如图7所示那样借助粘接带T而支承于在中央部具有收纳晶片10的开口部Fa的环状的框架F的晶片10搬送至切削装置、激光加工装置而进行加工(例如参照专利文献1～3)。另外，图7所示的晶片10是在由分割预定线14划分的正面10a上形成有器件12的圆形且板状的被加工物，在框架F上形成有区别框架F的正面和背面且限定支承晶片10时的方向的切口Fb、Fc。
[0004]专利文献1：日本特开平10
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242083号公报
[0005]专利文献2：日本特开2002
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222988号公报
[0006]专利文献3：日本特开2004
‑
188475号公报
[0007]但是，在上述的专利文献1～3所记载的加工装置中，重复使用如上述那样支承晶片10的框架F。因此，在对通过框架F支承的晶片10进行了加工之后，进行如下的维护：在从框架F去除了粘接带T之后回收该框架，为了去除所附着的加工屑、粘接剂等而进行清洗，在用于接下来的加工之前保管在规定的场所等。但是，该维护花费工夫，因此存在生产率差的问题。

技术实现思路
/>[0008]由此，本专利技术的目的在于提供无需进行对板状的被加工物进行支承的框架的维护而生产率良好的板状的被加工物的加工方法。
[0009]根据本专利技术的一个方式，提供板状的被加工物的加工方法，其中，该板状的被加工物的加工方法包含如下的工序：被加工物支承工序，在具有比板状的被加工物大的面积的热压接片上配设该板状的被加工物，将该热压接片加热而压接于该板状的被加工物，仅利用该热压接片对该板状的被加工物进行支承；加工工序，实施用于将该板状的被加工物分割成多个芯片的加工；以及拾取工序，从该热压接片拾取该芯片。
[0010]优选该板状的被加工物的加工方法包含如下的扩展工序：对该热压接片进行扩展而扩展该芯片与该芯片之间的间隔。另外，在根据技术方案1所述的板状的被加工物的加工方法中，优选包含如下的废弃工序：在该拾取工序之后，将该热压接片废弃。
[0011]优选该加工工序选择下述工序中的任意工序：将切削刀具定位于该板状的被加工物的要分割的区域而进行切削的切削加工工序；对该板状的被加工物的要分割的区域照射对于该板状的被加工物具有吸收性的波长的激光束而通过烧蚀加工形成槽的烧蚀加工工序；以及对该板状的被加工物的要分割的区域将对于该板状的被加工物具有透过性的波长
的激光束的聚光点定位于内部而进行照射来形成改质层的改质层形成工序。
[0012]优选该板状的被加工物是通过分割预定线而划分有多个器件的正面的晶片，该晶片的正面或背面配设于该热压接片。另外，优选该热压接片是聚烯烃系片、聚酯系片中的任意片。
[0013]优选该聚烯烃系片可以从聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片进行选择，作为该热压接片而选择聚乙烯片的情况下的被加工物支承工序中的加热温度为120℃～140℃，作为该热压接片而选择聚丙烯片的情况下的加热温度为160℃～180℃，作为该热压接片而选择聚苯乙烯片的情况下的加热温度为220℃～240℃。
[0014]优选该聚酯系片可以从聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片进行选择，作为该热压接片而选择聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下的被加工物支承工序中的加热温度为250℃～270℃，作为该热压接片而选择聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下的加热温度为160℃～180℃。
[0015]本专利技术的一个方式的板状的被加工物的加工方法包含如下的工序：被加工物支承工序，在具有比板状的被加工物大的面积的热压接片上配设板状的被加工物，将热压接片加热而压接于板状的被加工物，仅利用热压接片对板状的被加工物进行支承；加工工序，实施用于将板状的被加工物分割成多个芯片的加工；以及拾取工序，从热压接片拾取该芯片，因此不需要以往使用的框架，不花费为了重复使用框架而进行维护的工夫，生产率提高。
附图说明
[0016]图1是应用于本实施方式的板状的被加工物的加工方法的切削装置的立体图。
[0017]图2的(a)是示出热压接片的实施方式的立体图，图2的(b)是示出热压接片的变形例的立体图，图2的(c)是示出热压接片的变形例的立体图，图2的(d)是示出热压接片的变形例的立体图。
[0018]图3的(a)和图3的(b)是示出在被加工物支承工序中向晶片配设热压接片的方式的立体图。
[0019]图4的(a)和图4的(b)是示出在被加工物支承工序中通过热压接辊将热压接片压接于晶片的方式的立体图。
[0020]图5的(a)和图5的(b)是示出作为加工工序实施的切削加工工序的实施方式的立体图。
[0021]图6的(a)是示出扩展工序的实施方式的立体图，图6的(b)是示出拾取工序的实施方式的立体图。
[0022]图7是示出以往晶片借助粘接带而支承于环状的框架的方式的立体图。
[0023]标号说明
[0024]1：切削装置；2：装置壳体；3：盒；3a：工作台；4：搬出搬入机构；5：暂放工作台；6：搬送机构；7：卡盘工作台；7a：吸附卡盘；7b：夹具；8：对准单元；9：切削单元；9a：切削刀具；9b：旋转轴；10：晶片；10a：正面；10b：背面；12：器件；12
’
：器件芯片；14：分割预定线；20：热压接辊；40：拾取装置；42：扩展机构；42a：扩展鼓；42b：气缸；42c：保持部件；42d：夹具；44：拾取单元；44a：拾取夹头；44b：上推机构；44c：推杆；44d：吸附部；100：切削槽；F：框架；Fa：开口部；Fb、Fc：切口；S：热压接片；S1：第一热压接片；S1a：正面；S1b：背面；S2：第二热压接片；
S3：第三热压接片；S4：第四热压接片。
具体实施方式
[0025]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。
[0026]在图1中示出适合本实施方式的板状的被加工物的加工方法的切削装置1的整体立体图。切削装置1是对作为板状的被加工物的圆形的晶片10进行切削的装置。晶片10是与根据图7进行了说明的晶片10同样的晶片，是在由分割预定线14划分的正面10a上形成有多个器件12的例如由硅(Si)形成的半导体的晶片。
[0027]切削装置1具有装置壳体2。作为本实施方式的被加工物的晶片10通过实施后文详细叙述的被加工物支承工序而压接于热压接片S，仅利用热压接片S进行支承。在搬入至装置壳体2的盒3(双点划线所示)中收纳有多张该晶片10。收纳于盒3的晶片10被通过搬出搬入机构4夹持热压接片S，使搬出搬入机构4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种板状的被加工物的加工方法，其中，该板状的被加工物的加工方法包含如下的工序：被加工物支承工序，在具有比板状的被加工物大的面积的热压接片上配设该板状的被加工物，将该热压接片加热而压接于该板状的被加工物，仅利用该热压接片对该板状的被加工物进行支承；加工工序，实施用于将该板状的被加工物分割成多个芯片的加工；以及拾取工序，从该热压接片拾取该芯片。2.根据权利要求1所述的板状的被加工物的加工方法，其中，该板状的被加工物的加工方法包含如下的扩展工序：对该热压接片进行扩展而扩展该芯片与该芯片之间的间隔。3.根据权利要求1所述的板状的被加工物的加工方法，其中，该板状的被加工物的加工方法包含如下的废弃工序：在该拾取工序之后，将该热压接片废弃。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的板状的被加工物的加工方法，其中，该加工工序是将切削刀具定位于该板状的被加工物的要分割的区域而进行切削的切削加工工序。5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的板状的被加工物的加工方法，其中，该加工工序是对该板状的被加工物的要分割的区域照射对于该板状的被加工物具有吸收性的波长的激光束而通过烧蚀加工来形成槽的烧蚀加工工序。6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的板状的被加工物的加工方法，其中，该加工工序是对该板状的被加工物的要分割的区域将对于该板状的被加工物具有透过性的...

【专利技术属性】
技术研发人员：福士畅之，清原恒成，竹田祥平，鹤田玄太郎，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：