温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法,所述结构包括:依次堆叠的第一晶圆至第N晶圆,其中,所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第一表面都包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道,所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第二表面都形成有切割槽,...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本申请提供一种堆叠晶圆结构及切片方法,所述结构包括:依次堆叠的第一晶圆至第N晶圆,其中,所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第一表面都包括若干芯片以及分隔所述若干芯片的切割道,所述第一晶圆至第N晶圆中任意一个晶圆的第二表面都形成有切割槽,...