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一种集成存储器，其存储单元（ＭＣ）分别由两个晶体管（Ｔ１，Ｔ２）和两个电容（Ｃ１，Ｃ２）构成。和公知的具有双晶体管／双电容型存储单元的集成存储器不同的是，电容（Ｃ１，Ｃ２）的极板电极与不同的极板电位（ＶＰＬ１，ＶＰＬ２）相连。...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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