沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法技术

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
诸如沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(沟槽M0SFET)之类的场效应控制的功率开关结构已经被用于包括但不限于电源中的开关和功率转换器(例如半桥)的各种应用。在开关损耗和开关速度方面优化的沟槽MOSFET的指标是称作优值系数(Figureof Merit,F0M)的有源区无关的积(active area-independent product),其等于导通晶体管的栅极电荷Qe和导通状态电阻Rttism的乘积。栅极电荷Qe取决于栅极-漏极电容CeD。为了满足对沟槽MOSFET的电特性的需求，期望减小它们的导通状态电阻R(DS)QN和它们的栅极-漏极电容CeD 二者，即减小F0M
技术实现思路
根据半导体器件的一个实施例，所述半导体器件包括半导体本体，所述半导体本体包括第一表面和第二表面。所述半导体器件进ー步包括从所述第一表面延伸到所述半导体本体内的沟槽结构。所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在所述沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分。所述第一部分中的所述沟槽结构的宽度等于所述第二部分中的所述沟槽结构的宽度。所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一表面和第二表面；沟槽结构，所述沟槽结构从所述第一表面延伸到所述半导体本体内，所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在所述沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分，其中所述第一部分中的所述沟槽结构的宽度等于所述第二部分中的所述沟槽结构的宽度；本体区，所述本体区在所述沟槽结构的侧壁处毗连所述第一栅极介电部分和第二栅极介电部分；并且其中，所述第一栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d1和所述第二栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d2满足50？nm？<？d1？？？...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F希尔勒，M佩尔茨尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：