通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片制造技术

公开了通过使用铜镍锡金属化堆叠体和扩散焊接安装到引线框架的二极管层堆叠体倒装芯片。一种用于制造二极管层堆叠体的方法(100)包括：提供二极管层堆叠体(110)，其包括：碳化硅二极管管芯，其包括位于二极管管芯的阳极侧处的第一主表面以及位于二极管管芯的阴极侧处的与第一主表面相对的第二主表面，层堆叠体，其位于二极管管芯的第一主表面上，层堆叠体包括设置在二极管管芯的第一主表面上的铜层以及设置在铜层上方的含锡层或含铟层；提供管芯焊盘(120)，其包括铜引线框架，其包括：第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面；以及执行用于将具有层堆叠体的二极管层堆叠体连接到管芯焊盘的第一主表面的扩散焊接工艺(130)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种用于制造半导体装置的方法以及半导体装置。

技术介绍

1、可以通过诸如mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)或igbt(绝缘栅极双极晶体管)装置的半导体晶体管装置提供半导体功率开关。功率半导体的发展经常涉及提供具有更高的功率密度(即，每单位面积更高的电流)的功率半导体。虽然由于材料的限制，基于硅的功率装置存在局限性，但是具有五至十倍的更高的功率密度的碳化硅装置可能是可实现的。

2、可能需要提供碳化硅装置的改进的概念，使得碳化硅装置具有减小的横向尺寸。具体地，可能需要进一步的改进，特别是改进宽带隙功率装置(例如，碳化硅装置)的电流承载能力。这也涉及与晶体管装置并联连接的二极管，以便在开关接通和关断期间避免、降低或最小化过电压。

3、出于这些原因以及其他原因，存在对本公开的需求。

技术实现思路

1、本公开的第一方面涉及一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括：提供二极管层堆叠体(110)，该二极管层堆叠体包括：碳化硅二极管管芯，该碳化硅二极管管芯包括位于该二极管管芯的阳极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于制造半导体装置的方法(100)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，

3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中，

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

5.根据权利要求4所述的方法(100)，其中，

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(1...

【技术特征摘要】

1.一种用于制造半导体装置的方法(100)，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其中，

3.根据权利要求2所述的方法(100)，其中，

4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

5.根据权利要求4所述的方法(100)，其中，

6.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

8.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

9.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法(100)，其中，

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

11.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·奥特伦巴，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：