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沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法技术
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文档序号:8162671
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沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法。半导体器件包括半导体本体,半导体本体包括第一表面和第二表面。所述半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体本体内的沟槽结构。所述沟槽结构包括在沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分,以及在...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。
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