【技术实现步骤摘要】
本申请涉及封装半导体器件，尤其涉及具有传感器装置的封装半导体器件。
技术介绍
1、很多应用，例如汽车和工业应用都在利用半导体封装来适应高压负载。这些半导体封装可以包括功率器件，例如二极管、igbt(绝缘栅双极型晶体管)、mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)、hemt(高电子迁移率晶体管)等。这些半导体封装可以被配置为分立部件，或者可以被配置为电力转换器电路，例如单相和多相半波整流器、单相和多相全波整流器、电压调节器等。出于各种原因，例如，防止故障、改善开关特性等，期望监测分立半导体封装之内功率器件的操作状态。当前用于向封装中并入感测电路的方案可能涉及做出不希望的折中，例如更大的封装尺寸和/或降低的性能。因此希望提供一种半导体封装，其能够以最小成本以及对封装尺寸的影响来监测器件的操作状态。
技术实现思路
1、公开了一种半导体封装。根据实施例，该半导体封装包括引线框架，所述引线框架包括管芯焊盘和从所述管芯焊盘延伸开的第一引线；半导体管芯，所述半导体管芯安装于所述管芯焊盘上；负载路径连接...
【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一负载端子设置于所述半导体管芯的面向所述管芯焊盘并且与所述管芯焊盘电连接的下表面上，并且其中，所述管芯焊盘形成所述负载路径连接部的一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述引线框架包括小于所述管芯焊盘并且布置于所述管芯焊盘和所述第一引线之间的传感器焊盘，其中，所述传感器焊盘形成所述负载路径连接部的一部分，并且其中，所述磁传感器装置直接安装于所述传感器焊盘上。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述传感器焊盘与所述第一引线合并。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一负载端子设置于所述半导体管芯的面向所述管芯焊盘并且与所述管芯焊盘电连接的下表面上，并且其中，所述管芯焊盘形成所述负载路径连接部的一部分。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述引线框架包括小于所述管芯焊盘并且布置于所述管芯焊盘和所述第一引线之间的传感器焊盘，其中，所述传感器焊盘形成所述负载路径连接部的一部分，并且其中，所述磁传感器装置直接安装于所述传感器焊盘上。
4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述传感器焊盘与所述第一引线合并。
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述传感器焊盘与所述管芯焊盘合并。
6.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述传感器焊盘与所述管芯焊盘间隔开。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述引线框架包括从所述引线框架延伸开的第二引线，并且其中，所述磁电流传感器电连接到所述第二引线。
8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述磁电流传感器是隧道磁致电阻效应传感器。
9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体管芯是额定阻挡至少100v的电压的功率器件。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述电隔离层包括玻璃。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述引线框架还包括与所述管芯焊盘间隔开的第二管芯焊盘，其中，所述半导体封装还包括安装于所述第二管芯焊盘上的第二半导体管芯，并且其中，所述负载路径连接部将所述半导体管芯的第二负载端子与所述第一引线电连接。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：吴淑鏸，G·卡穆索，颜台棋，W·拉贝格，W·肖尔茨，史威，张裕晨，吴慧雯，林巧云，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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