【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本公开总体上涉及半导体器件。更具体地，本公开涉及一种包括分离的发射芯片和接收芯片的微型变压器。
2、隔离元件或隔离器可以是用于在具有不同参考电压电平的电路块之间进行信号传输的器件。隔离器的一些示例可以包括光耦合器、电感器耦合的隔离器、电容器耦合的隔离器或其他类型的隔离器。在一个方面，电感器耦合的隔离器使用一个线圈将电信号转换为磁性，然后让另一线圈将磁性转换为电信号，从而确保两个半导体器件之间的隔离。在一个方面，利用磁场的隔离器可以包括具有至少一个发射线圈和至少一个接收线圈的微型变压器。微型变压器可以通过ic后端工艺来制造。隔离器的性能可能受到诸如隔离器尺寸、抗噪声性、操作速度和硅集成电路(ic)工艺的亲和性等因素的影响。例如，微型变压器的隔离击穿电压可以取决于绝缘体的材料和线圈之间的厚度。
技术实现思路
1、在一个实施例中，总体上描述了一种用于实现隔离器的半导体器件。该半导体器件可以包括第一芯片，该第一芯片包括至少第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈以竖直对准...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一芯片和所述第二芯片形成实现隔离器的变压器。
6.根据权利要求1所述的半导体，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三线圈的输出端子被连接到NPN差分比较器。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第三芯片，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一芯片和所述第二芯片形成实现隔离器的变压器。
6.根据权利要求1所述的半导体，其中：
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三线圈的输出端子被连接到npn差分比较器。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第三芯片，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片形成实现隔离器的变压器。
10.一种半导体器件，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤哲雄，野邑由起夫，J·E·文森，D·A·吉尔达，
申请(专利权)人：瑞萨电子美国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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