具有０．７至２．０微米深沟槽的金属氧化物半导体场效应管（ＭＯＳＦＥＴ）之加工方法，是先在半导体衬底上开沟槽，然后在沟槽内沉积厚绝缘层并使在沟槽底部的绝缘层比沟槽侧壁的绝缘层厚得多。随后侧壁的绝缘层被除掉，继之以生成一合成的双层，形成栅极...

一个沟槽金属氧化物半导体厂效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）器件，它包含穿过氧化物绝缘层进入栅极多晶硅和基体－源极硅区域开出的一些栅极接触沟槽和源极接触沟槽。这些栅极接触沟槽和源极接触沟槽被填充以栅极接触塞和源极接触塞，以电接触栅极多晶硅和源极...

一种混合半导体功率器件，它具有多元的闭合的功率晶体管单元，其每一单元均由实际上构成一个闭合单元的第一个与第二个沟槽栅极围绕着，它还具有多元的包含两个实际上平行的沟槽栅极的条状单元，这两个平行的沟槽栅极构成一个实际上被拉长的条状单元，在其...

一个槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）单元包含一个被源极区域环绕著的沟槽栅极，此源极区域包含在一个安排于衬底底部表面上的漏极区域上面的基体区域内。该ＭＯＳＦＥＴ单元进一步包含一个在源区和基体区内开的，侧壁实际垂直于顶部表面...

一个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）单元，它具有由一源区域围绕着的沟槽栅极，而该源区域则处于安置在衬底底面的漏极之上的一个基体区域之内。该ＭＯＳＦＥＴ单元还具有一个源－基体接触沟槽，它开得使其侧壁实际上垂直于上表面而伸延...

一个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）单元，它包含一个被一源区域围绕的沟槽栅极，而此源区域被安置在衬底底部表面上的漏极区域之上的基体区域包围着。该ＭＯＳＦＥＴ单元还包含一个埋设的沟槽多晶硅栅极导路，它电接触到该沟槽ＭＯＳＦ...