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成都瑞芯电子有限公司专利技术
成都瑞芯电子有限公司共有19项专利
可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管制造技术
量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构制造技术
量子场分布的Trench?MOSFET沟槽终端结构,包括外延层,及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和平行于第一隔离槽,且位于第一隔离槽远离硅片边界一侧的第二隔离槽;第一隔离槽和第二隔离槽内部都有多晶硅电极,所述多晶硅电极与沟槽内壁之间有...
一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造技术
一种功率MOSFET的沟槽终端结构,包括衬底和位于衬底上的外延层,包括如下全部特征:所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽;在沟槽内有栅氧化层;所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极;所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板;在第一沟槽和第二沟...
可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法技术
本发明公开了一种可有效降低栅极电阻和栅极电容的柱栅金氧半场效晶体管及其制造方法,包括衬底(20)及N外延层(21);N外延层(21)中设有柱形沟槽,柱形沟槽内部生长栅氧化层(26),柱形栅电极(25)通过栅氧化层(26)与N外延层(21...
一种功率MOSFET的沟槽终端结构及制造方法技术
一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造方法,包括:步骤101.在衬底上生长外延层;在外延层上刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽;在沟槽内生长栅氧化层;步骤102.在第一沟槽和第二沟槽淀积多晶硅,使多晶硅填充整个沟槽全部内表面,在第一沟槽形成栅电...
量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构及制造方法技术
量子场分布的TrenchMOSFET沟槽终端结构,包括外延层,及位于外延层中深度相同的第一隔离槽和平行于第一隔离槽,且位于第一隔离槽远离硅片边界一侧的第二隔离槽;第一隔离槽和第二隔离槽内部都有多晶硅电极,所述多晶硅电极与沟槽内壁之间有栅...
一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管制造技术
本实用新型公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管,从下往上依次包括漏极(213)、衬底(200)、漂移区(201)及源极(212);漂移区(201)设有若干深沟槽(202),深沟槽(202)内设有沟槽源极场板(204...
一种具有沟槽源极场板的Trench MOSFET晶体管及其制备方法技术
本发明公开了一种具有沟槽源极场板的TrenchMOSFET晶体管及其制备方法,所述晶体管下往上依次包括漏极(213)、衬底(200)、漂移区(201)及源极(212);漂移区(201)设有若干深沟槽(202),深沟槽(202)内设有沟槽...
一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源制造技术
本实用新型公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)、带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)。本实用新型采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路,电路就可以自...
一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源制造技术
本发明公布了一种宽输入电压高电源抑制比基准电压源,包括依次连接的自偏置电路(1)、第一级预调整电路(2)、第二级预调整电路(3)、带隙基准核心电路(4)、信号反馈电路(5)。本发明采用了自偏置电流镜结构的自偏置电路,电路就可以自启动,而...
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法技术
本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管,包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层,N-外延层上端面设置有环状的场氧化层,N-外延层设有沟槽,该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层,N-外延层包括源区层...
一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源制造技术
本发明公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、第一基准产生电路、第二基准产生电路、以及三个关断控制电路。本发明只包含NMOS管,PMOS管和电阻,没有三极管,电路结构和制备工艺...
沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术
本实用新型公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管,包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层,N-外延层上端面设置有环状的场氧化层,N-外延层设有沟槽,该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层,N-外延层包括源...
一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源制造技术
本实用新型公布了一种适用于两节锂电池保护芯片CMOS基准源,包括启动电路、PTAT产生电路、CTAT产生电路、基准1产生电路、基准2产生电路、以及三个关断控制电路。本实用新型只包含NMOS管,PMOS管和电阻,没有三极管,电路结构和制备...
一种非隔离式LED驱动电路制造技术
本实用新型公开了一种非隔离式LED驱动电路,主要由集成电路芯片U及负载LED组成,其特征在于:该负载LED的阳极与交流整流电路的输出正极相连接,其阴极经电感器L1与集成电路芯片U相连接;该交流整流电路还经直流输出电路及电位器R1后与集成...
电池组电路的测试设备及其测试方法技术
本发明公开了一种电池组电路的测试设备,主要由测试控制仪,与测试控制仪相连接的直流电源PSH、直流电源PSL及直流负载DCL组成,其特征在于:该直流电源PSL与二极管D串联后接于电子开关DPDT的接口I端,直流电源PSH与直流开关SW串联...
一种新型双极性电源制造技术
本实用新型公开了一种新型双极性电源,其特征在于:主要由负载、二极管D、直流电源S以及电子开关K组成;所述二极管D与电子开关K并联后,其一端与直流电源S相连接,另一端与负载的一端连接后形成输出端;所述负载的另一端则与直流电源S的另一端连接...
一种新型笔记本电池盒制造技术
本实用新型公开了一种新型笔记本电池盒,主要由普通电池盒构成,其特征在于,该笔记本电池盒还包括微控制器MCU固件系统,所述的微控制器MCU固件系统由数字外围硬件系统及MCU信号处理系统构成,且该MCU信号处理系统分别与数字外围硬件系统及普...
一种笔记本电池盒及其应用方法技术
本发明公开了一种笔记本电池盒,主要由普通电池盒构成,其特征在于,该笔记本电池盒还包括微控制器MCU固件系统,所述的微控制器MCU固件系统由数字外围硬件系统及MCU信号处理系统构成,且该MCU信号处理系统分别与数字外围硬件系统及普通电池盒...
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