沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N+衬底层、N-外延层、栅氧化层、硼磷硅玻璃层、金属层、以及背面金属层，N-外延层上端面设置有环状的场氧化层，N-外延层设有沟槽，该沟槽内填充有掺杂的多晶硅层，N-外延层包括源区层和设置在源区层下端面的P_body层；本实用新型专利技术还包括源电极接触孔和栅电极接触孔，源电极接触孔和栅电极接触孔均由金属层填充，且源电极接触孔端的金属层和栅电极接触孔端的金属层通过一道开口分隔开。采用上述结构，在制造本实用新型专利技术的时候能节约制造成本。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及功率场效应晶体管，具体是沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。
技术介绍
功率场效应晶体管是近几年迅速发展起来的新型功率器件，由于它比双极型功率器件具有许多优良性能如高输入阻抗，低驱动电流，没有少子存储效应，开关速度快，工作频率高，具有负的电流温度系数，并有良好的电流自调节能力，可有效地防止电流局部集中和热点的产生，电流分布均勻，容易通过并联方式增加电流容量，具有较强的功率处理能力，热稳定性好，安全工作区大，没有二次击穿等，已广泛应用于各种电子设备中，如高速开关电路，开关电源，不间断电源，高功率放大电路，高保真音响电路，射频功放电路，电力转换电路，电机变频电路，电机驱动电路，固体继电器，控制电路与功率负载之间的接口电路寸。传统的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管(Trench M0SFET)由于其特定的结构，在制造的过程中需要七层掩膜，生产成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种节约生产成本的沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管。本技术的目的主要通过以下技术方案实现沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，包括N-外延层，N-外延层包括设置在其上部的源区层，以及设置在源区层下端面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括Ｎ－外延层，　Ｎ－外延层包括设置在其上部的源区层，以及设置在源区层下端面的Ｐ＿ｂｏｄｙ层，该Ｐ＿ｂｏｄｙ层内设有Ｐ型杂质层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，朱怀宇，
申请(专利权)人：成都瑞芯电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：90