一种功率MOSFET的沟槽终端结构制造技术

一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底和位于衬底上的外延层，包括如下全部特征：所述外延层上具有第一沟槽和第二沟槽；在沟槽内有栅氧化层；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板；在第一沟槽和第二沟槽之间以及第一沟槽靠芯片边界一侧具有体区；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区；在硅片表面还具备隔离氧化层，在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。本实用新型专利技术以较小的占用面积提高了硅片终端部分的击穿电压，并降低了硅片终端结构的设计难度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种功率MOSFET的沟槽终端结构，包括衬底（21）和位于衬底上的外延层（22），包括如下全部特征：所述外延层（22）上具有第一沟槽（18）和第二沟槽（19）；在沟槽内有栅氧化层（23a）；所述第一沟槽内部有多晶硅形成的栅电极（24a）；所述第二沟槽内部有多晶硅形成的悬浮场板（24b）；在第一沟槽（18）和第二沟槽（19）之间以及第一沟槽靠芯片边界（17）一侧具有体区（25）；在第一沟槽靠芯片边界一侧的体区上面还有源区（27）；在硅片表面还具备隔离氧化层（29），在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新，
申请(专利权)人：成都瑞芯电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：