具有MOSFET的晶体管装置和制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置和一种用于制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：MOSFET，具有第一导电类型的源极区（11）、漂移区（13）和漏极区（14），第二导电类型的、布置在源极区（11）和漂移区（13）之间的体区（12），和与该体区（12）相邻布置的并且由栅极介电质（22）介电地相对于该体区（12）绝缘的栅极电极（21），和具有与源极区（11）和体区（12）接触的源极电极（31）；和自截止的JFET，具有第一导电类型的通道区（41），该通道区在源极电极（31）和漂移区（13）之间耦接并且该通道区与体区（12）相邻地延伸。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置具有：MOSFET，具有第一导电类型的源极区（11）、漂移区（13）和漏极区（14），布置在所述源极区（11）和所述漂移区（13）之间的第二导电类型的体区（12），和与所述体区（12）相邻布置的并且由栅极介电质（22）介电地相对于所述体区（12）绝缘的栅极电极（21），和具有与所述源极区（11）和所述体区（12）接触的源极电极（31）；和自截止的JFET，具有所述第一导电类型的通道区（41），所述通道区在所述源极电极（31）和所述漂移区（13）之间耦接并且所述通道区与所述体区（12）相邻地延伸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：米歇尔·赫茨勒，汉斯约阿希姆·舒尔茨，拉尔夫·西埃米恩里克，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：