一种大功率MOS场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种大功率MOS场效应晶体管，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。该产品结构简单，设计合理，故障率低，使用安全性和运行稳定性好；该装置通过在栅极上加超过阈值电压的正电压来改变形成的导电沟槽的状况，从而达到控制漏极电流的目的；该产品的铝层附着能力好，避免了铝层出现尖角漏电流大的问题，使用寿命长，使用效果好。

High power MOS field effect transistor

The utility model discloses a high power MOS field effect transistor comprises a source electrode, P base, N epitaxial, drain and trench, the source is located in the top of the trench is located in the source of the bottom and the trench type P base connected trench filled with polysilicon, and below N epitaxial trench is connected to the drain at the bottom and upper and lower leakage N epitaxial electrode is connected to the source electrode, P base, N epitaxial, drain and groove are connected to the gate by metal aluminum. The product has the advantages of simple structure, reasonable design, low failure rate, safety and stable operation; the device by adding positive voltage exceeds the threshold voltage on the gate electrode conductive trench formed to change the situation, so as to achieve the purpose of controlling the drain current; aluminum layer of the product attachment ability, avoid the aluminum layer the problem pointed large leakage current, long service life, good use effect.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种功率器件，具体是一种大功率MOS场效应晶体管。
技术介绍
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET，是一种绝缘栅型场效应管，它的主要特点是在金属栅极和沟道之间设置有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（电阻的最高值可以达到1015Ω），MOSFET分为N沟道管和P沟道管，通常是将基板与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又可以分为增强型和耗尽型。增强型是指当VGS为0时管子呈截止状态，加上正确的VGS，多数载流子被吸引到栅极，从而增强了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型是指当VGS为0时就形成沟道，加上正确的VGS，多数载流子流出沟道，从而耗尽了该区域的载流子，使管子转向截止状态。但是现有的MOS场效应管的铝层附着能力差，而且铝层容易出现尖角漏电流大的问题，这就为使用者带来了不便。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种大功率MOS场效应晶体管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种大功率MOS场效应晶体管，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。作为本技术进一步的方案：沟槽位于源极的中心位置。作为本技术进一步的方案：栅极的宽度为320um，栅极的长度为450um，源极的长度为5000um，源极的宽度为3200um。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该产品结构简单，设计合理，故障率低，使用安全性和运行稳定性好；该装置通过在栅极上加超过阈值电压的正电压来改变形成的导电沟槽的状况，从而达到控制漏极电流的目的；该产品的铝层附着能力好，避免了铝层出现尖角漏电流大的问题，使用寿命长，使用效果好。附图说明图1为大功率MOS场效应晶体管的结构示意图。图2为大功率MOS场效应晶体管的俯视图。其中：1-源极，2-P型基区，3-N型外延，4-漏极，5-栅极，6-沟槽。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。请参阅图1-2，一种大功率MOS场效应晶体管，包括源极1、P型基区2、N型外延3、漏极4和沟槽6，所述源极1位于最顶层，沟槽6位于源极1的下方并且沟槽6与P型基区2相连，沟槽6内部填充有多晶硅，沟槽6的下方与N型外延3相连，漏极4位于最底层并且漏极4的上端与N型外延3的下端相连，源极1、P型基区2、N型外延3、漏极4和沟槽6均通过金属铝与栅极5相连。沟槽6位于源极1的中心位置。栅极5的宽度为320um，栅极5的长度为450um，源极1的长度为5000um，源极1的宽度为3200um。本技术的工作原理是：在制造MOS单元时，通过在N型外延3上制造出一定深度的沟槽6，并且在沟槽6附近通过掺杂形成P型基区2，在沟槽上部区域形成N+型区域。在沟槽6内部不加电压的时候，电子没有导通的通道，而当在栅极5上加超过阈值电压的正电压时，在沟槽6交界面的P型基区2能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高掺质的N区接通，形成了电子的导通沟道，这样最终实现通过在栅极5上加电压来控制电流的通过，从而实现了开关的目的。该产品结构简单，设计合理，故障率低，使用安全性和运行稳定性好；该装置通过在栅极5上加超过阈值电压的正电压来改变形成的导电沟槽6的状况，从而达到控制漏极电流的目的；该产品的铝层附着能力好，避免了铝层出现尖角漏电流大的问题，使用寿命长，使用效果好。上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率MOS场效应晶体管，其特征在于，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽均通过金属铝与栅极相连。

【技术特征摘要】
1.一种大功率MOS场效应晶体管，其特征在于，包括源极、P型基区、N型外延、漏极和沟槽，所述源极位于最顶层，沟槽位于源极的下方并且沟槽与P型基区相连，沟槽内部填充有多晶硅，沟槽的下方与N型外延相连，漏极位于最底层并且漏极的上端与N型外延的下端相连，源极、P型基区、N型外延、漏极和沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑石磊，郑振军，郑旭洁，
申请(专利权)人：上海迈股微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31