多管芯组装件中的功率管理制造技术

诸如异构设备的装置至少包含第一管芯和第二管芯。装置还包含第一电感元件、第二电感元件和开关控制电路。开关控制电路设置在第一管芯中。开关控制电路控制流经第一电感元件的电流，以生成第一电压。第一电压对第一管芯提供功率。第二电感元件耦接至第一电感元件。第二电感元件生成第二电压来对第二管芯提供功率。第一管芯和第二管芯可以依据不同技术制造，并且其中，第一管芯和第二管芯承受不同的最大电压。第一电压的大小可以大于第二电压的大小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例一般涉及多管芯组装件中的功率管理。
技术介绍
为了节省各主体衬底(host substrate)上的空间，多个集成电路或者管芯可以组合来通过在彼此的顶部垂直堆叠管芯，生成单个的多管芯组装件。在这样的实例中，从主体衬底接收的电压典型地对多管芯组装件中的每个管芯提供功率。在某些实例中，要求对堆叠的每个管芯提供功率的电压的大小可能变化，在该情况下，主体衬底可以提供多个不同电压来对多管芯组装件提供功率。可能不期望在主体衬底上外部地产生电压，因为其要求电路板设计师关于多管芯组装件提供外部电压调节器，增加了平台成本和复杂性。换言之，关于多管芯组装件的外部电路可以被用于产生适当的电压来对多管芯组装件中的不同管芯提供功率。作为要求外部地产生多个电压的替代，常规管芯可以被配置为包含电荷栗电路，将单个的接收的电压转换为多个不同的供电电压。经由多管芯组装件中的连接，内部产生的电压然后被用于对多管芯组装件中的不同管芯提供功率。不期望在多管芯组装件中使用一个或多个电荷栗，因为其典型地是低效的，因此，浪费功率。【附图说明】图1是示出根据本文的实施例的包含管芯的堆叠的组装件的示例三维图。图2是示出根据本文的实施例的组装件的示例侧视图。图3是示出根据本文的实施例的平面多管芯组装件的示例三维图。图4是示出根据本文的实施例的多管芯组装件中的功率管理的示例图。图5是示出根据本文的实施例的多管芯组装件中的功率管理的示例图。图6是示出根据本文的实施例的多管芯组装件中的功率管理的示例图。图7是示出根据本文的实施例的多管芯组装件中的功率管理的示例图。图8是示出根据本文的实施例的可以被用于执行一个或多个方法的计算机架构的示例图。图9是示出根据本文的实施例的方法的示例流程图。图10是示出根据本文的实施例的相应的计算机系统中的管芯和/或多管芯组装件的使用的示例图。【具体实施方式】已推动了制造要求多个不同的功率轨的多管芯组装件。这样的推动是充满挑战的，因为多管芯组装件中的一个管芯上的电路可能不能承受暴露至多管芯组装件中的另一个管芯要求的电压。例如，多管芯组装件可以包含DRAM(动态随机存取存储器)的堆叠，其中，(依据不同技术制造的)多个存储器管芯堆叠在彼此的顶部。电路(诸如多管芯组装件中的一个管芯中的控制逻辑)可以能够容忍暴露至多管芯组装件中另一个管芯(诸如存储器管芯)要求的高电压，诸如VPP(即供电电压)，来执行某些存储器管理操作。本文的一个实施例包含异构多管芯组装件(例如存储器堆叠、平面存储器电路、传感器电路、射频或者其他高功率技术等)中设置的功率管理电路。异构组装件可以包含多个类型的管芯。例如，可以依据第一技术制造组装件中的第一管芯，可以依据第二技术制造第二管芯等。设置在组装件中的功率管理电路能产生用于异构组装件的一个或多个更高电压。可以依据相同或者不同的技术来制造异构多管芯组装件中的每个管芯。例如，可以依据存储器技术制造堆叠的一个或多个管芯，所述存储器技术包含:SDRAM(同步动态随机存取存储器)、DRAM (动态随机存取存储器)、SRAM (静态随机存取存储器)、MRAM(磁阻随机存取存储器)、EPR0M(可擦除可编程只读存储器)、闪存、PCM(相变存储器)等。对于自动传感器应用而言，可以依据智能功率技术来制造堆叠的一个或多个管芯。可以依据不同技术使用不同的制造来制造堆叠的一个或多个管芯，诸如CMOS(互补金属氧化物半导体)、GaAS (砷化镓)、Ge (锗)、SiC (碳化硅)等。所有的上述制造技术可能具有不同的电压要求，并可以在共同堆叠中组合。每个不同技术可能要求应用不同的电压来对相应的管芯提供功率。例如，异构管芯中的第一管芯可以要求第一电压VPP1来执行功能，诸如数据管理(诸如读出、擦除、写入等)，异构组装件中的第二管芯可以要求第二VPP2(诸如与VPP1不同或者比VPP1更高的电压)来执行功能，诸如数据管理(诸如读出、擦除、写入等)等。由于被用于制造相应的第一管芯的制造技术，对第一管芯中的任何管芯组件(诸如晶体管、二极管等)应用VPP2(比VPP1更高的电压)可能导致损伤。相应地，挑战在于从第一管芯到第二管芯产生和/或输送电压VPP2。本文的一个实施例包含诸如异构组装件的装置。如上所述，异构组装件(或者设备)可以包含依据第一制造技术制造的第一管芯；异构组装件可以包含依据第二制造技术制造的第二管芯；以此类推。 异构组装件还可以包含开关控制电路、第一电感元件和第二电感元件。开关控制电路可以设置在一个或多个管芯中或者在其上。依据一个实施例，第一电感元件可以被配置为接收输入电压。开关控制电路控制流经第一电感元件的电流(诸如由输入电压提供的电流)，来生成第一电压。第一电压的大小可以大于输入电压。第一电压对第一管芯提供功率。第二电感元件耦接至第一电感元件。第二电感元件生成第二电压来对第二电路提供功率。第二电压对第二管芯提供功率。之前提到第二管芯可以要求更高的电压来在第二管芯中执行相应操作。在一个实施例中，第二电压的大小实质上大于第一电压的大小。如上所述，可以依据不同的技术制造第一管芯和第二管芯，并且其中，第一管芯和第二管芯承受不同的最大应用电压。例如，第一管芯中的管芯组件可能不能够承受第二电压，其中第二电压被第二管芯要求来执行某些操作。使用如本文所述的电感元件来产生不同的电压减小了组装件的要求的区域的量或体积，和对应的功率管理电路。例如，功率管理电路包含第一电感元件、第二电感元件，并且开关控制电路设置在组装件中。使用如本文所述的功率管理电路来产生不同的电压还能启用组装件中的异构电路的操作。例如，如上所述，电感元件和对应的开关电路可以设置在相应的异构设备内，因此，减小了外部电路板基板面的尺寸、以及相应的组装件上需要的功率输入引脚的数量。另夕卜，产生如本文所述的多个电压能启用常用设备中的异构电路的共位(co-locat1n)和操作，常用设备诸如包含依据不同技术制造的存储器电路的存储器堆叠。现在，更具体而言，图1是示例图，示出根据本文的实施例的组装件(诸如管芯的堆叠)的透视图。如图所示，组装件100包含两个或更多个管芯，诸如管芯110-1、管芯110-2、管芯110-3等。组装件100可以包含任何适当数量(例如2、3、4、5……)的管芯(例如半导体芯片、集成电路等)，每个管芯被依据相同或者不同的技术制造。组装件100中的每个管芯可以是任何适当类型的资源。例如，组装件100中的一个或多个管芯可以是存储器芯片。在一个实施例中，组装件100中的一个或多个管芯中的每一个可以是DRAM(动态随机存取存储器)设备、NAND闪存、N0R闪存、磁电阻随机存取存储器、铁电随机存取存储器、3-D存储器、个人计算机存储器系统等)。每个管芯可以是相应的半导体设备(诸如集成电路)，包含存储相应的数据的多个存储单元。通过非限制性示例，管芯110-1可以包含存储第一数据的一组存储单元150-1，管芯110-2包含存储第二数据的一组存储单元150-2，管芯包含存储第三数据的一组存储单元150-3等。如上所述，每个管芯可能不包含相应的存储单元，并可以执行任何适当的功能。每个管芯可以从包含多个管芯的相应的半导体晶片切出。—个或多个不同类型的管芯11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一电感元件和第二电感元件；多个管芯；开关控制电路，所述开关控制电路设置在所述装置的第一管芯中，所述开关控制电路控制流经第一电感元件的电流，以生成第一电压；以及所述第二电感元件被耦接以接收所述第一电压并生成第二电压，所述第二电压对所述装置中的第二管芯提供功率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·德勒格，A·舍费尔，U·齐尔曼，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US