本发明专利技术公开了一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片，其包括引线框架，引线框架具有一个封装面，封装面上设置有16个相互隔离且绝缘的引出脚，封装面上封装有采用低压工艺制成的低压控制芯片和采用高压工艺制成的高压驱动芯片，低压控制芯片具有14个相互隔离且绝缘的引脚，高压驱动芯片具有7个相互隔离且绝缘的引脚，低压控制芯片和高压驱动芯片之间通过2个引脚连接，低压控制芯片的12个引脚与封装面上的12个引出脚连接，高压驱动芯片的3个引脚与封装面上的3个引出脚连接；优点是由于低压控制芯片和高压驱动芯片分开代工，因此不需要在一个芯片里同时使用两种工艺，两种芯片分开中测，双芯片封装能提高良率，降低芯片成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大功率谐振电源控制芯片，尤其是涉及一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片。
技术介绍
随着液晶电视机和大功率商用LED的普及，液晶电视机和大功率商用LED都是依靠大功率谐振电源将交流电转换为直流电进行工作。谐振电源的优点是对应从90V到265V的交流电压输入，都能实现恒定的直流电压电流输出，且交直流转换效率高，并能提供多种保护，如输入欠压保护、过流保护、负载短路保护、软启动等。谐振电源的核心就是谐振电源控制芯片。现有的大功率谐振电源控制芯片都是将低压控制芯片和高压驱动芯片集成在一个硅片里制造的，这样不仅对工艺要求高，需要集成高压工艺和低压工艺，而且制造得到的大功率谐振电源控制芯片的良率也会降低，制造难度和成本也会增加，芯片售价高，同时客户应用的整体方案的成本也会提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片，其将低压控制芯片和高压驱动芯片在一个引线框架上进行封装，其性能与低压控制模块和高压驱动模块集成在一个硅片里制造的大功率谐振电源控制芯片完全一致，且降低了工艺难度，提高了芯片良率，降低了制造难度和成本，从而使得客户应用方案的成本也会下降。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片，其特征在于包括引线框架，所述的引线框架具有一个封装面，所述的封装面上设置有16个相互隔离且绝缘的引出脚，且第I个引出脚至第16个引出脚分别为软启动端、过载电流延迟关断端、定时电容端、最低振荡器频率设置端、间歇工作模式门限端、输入电流检测端、输入电压检测端、闭锁式驱动关闭端、前级PFC控制器的控制通道端、IC功率和信号地、低侧门级驱动输出端、电源端、空引脚、高侧门级驱动的悬浮地、高侧门级驱动输出端、高侧门极驱动输出悬浮电源端，所述的封装面上封装有采用低压工艺制成的低压控制芯片和采用高压工艺制成的高压驱动芯片，所述的低压控制芯片具有14个相互隔离且绝缘的引脚，且第I个引脚至第14个引脚分别为软启动端、过载电流延迟关断端、定时电容端、最低振荡器频率设置端、间歇工作模式门限端、输入电流检测端、输入电压检测端、闭锁式驱动关闭端、前级PFC控制器的控制通道端、IC功率和信号地、低侧门级驱动输出端、电源端、高压信号电源端、高压信号输出逻辑控制端，所述的高压驱动芯片具有7个相互隔离且绝缘的引脚，且第I个引脚至第6个引脚分别为高侧门级驱动的悬浮地、高侧门级驱动输出端、高侧门极驱动输出悬浮电源端、电源端、IC功率和信号地、高压信号电源端、高压信号输入逻辑控制端，所述的低压控制芯片的第I个引脚至第12个引脚与所述的封装面上设置的第I个引出脚至第12个引出脚一一对应的连接，所述的低压控制芯片的第13个引脚与所述的高压驱动芯片的第6个引脚连接，所述的低压控制芯片的第14个引脚与所述的高压驱动芯片的第7个引脚连接，所述的高压驱动芯片的第I个引脚至第3个引脚与所述的封装面上设置的第14个引出脚至第16个引出脚一一对应的连接，所述的高压驱动芯片的第4个引脚与所述的封装面上设置的第12个引出脚连接，所述的高压驱动芯片的第5个引脚与所述的封装面连接，所述的封装面与所述的封装面上设置的第10个引出脚连接。所述的低压控制芯片和所述的高压驱动芯片均通过导电胶固定于所述的封装面上。所述的低压控制芯片包括第一比较器、第二比较器、第三比较器、第四比较器、第五比较器、运算放大器、RS触发器、第一 NMOS管、第一 NPN三极管、第二 NPN三极管、压控振荡器、第一稳压二极管、第二稳压二极管、控制逻辑模块、欠压检测模块、驱动逻辑模块、低压驱动模块、电阻、电流源、逻辑电路;所述的第一比较器的同相输入端作为所述的低压控制芯片的第8引脚，所述的第一比较器的反相输入端接入内部基准输出的1.85V电压，所述的第一比较器的输出端与所述的RS触发器的S输入端连接，所述的RS触发器的Q输出端与所述的控制逻辑模块的第一个输入信号端连接，所述的第二比较器的反相输入端作为所述的低压控制芯片的第5引脚，所述的第二比较器的同相输入端接入内部基准输出的1.25V电压，所述的第二比较器的输出端与所述的控制逻辑模块的第二个输入信号端连接，所述的运算放大器的反相输入端作为所述的低压控制芯片的第4引脚，所述的运算放大器的同相输入端接入内部基准输出的2V电压，所述的运算放大器的输出端与所述的第一 NMOS管的栅极连接，所述的第一 NMOS管的源极与所述的运算放大器的反相输入端连接，所述的第一匪OS管的漏极与所述的压控振荡器的控制端连接，所述的第一 NPN三极管的集电极作为所述的低压控制芯片的第I引脚，所述的第一 NPN三极管的发射极接地，所述的第一 NPN三极管的基极与所述的控制逻辑模块的第一个输出端连接，所述的压控振荡器的输入端作为所述的低压控制芯片的第3引脚，所述的压控振荡器的输出端与所述的控制逻辑模块的第三个输入信号端连接，所述的控制逻辑模块的第二个输出端作为所述的低压控制芯片的第2引脚，所述的控制逻辑模块的第三个输出端与所述的驱动逻辑模块的第一个输入端连接，所述的控制逻辑模块的第四个输出端作为所述的低压控制芯片的第13引脚，所述的欠压检测模块的输入端作为所述的低压控制芯片的第12引脚，所述的欠压检测模块的输入端与所述的第一稳压二极管的负端连接，所述的第一稳压二极管的正端接地，所述的欠压检测模块的输出端与所述的驱动逻辑模块的第二个输入端连接，所述的驱动逻辑模块的第一个输出端作为所述的低压控制芯片的第14引脚，所述的驱动逻辑模块的第二个输出端与所述的低压驱动模块的输入端连接，所述的低压驱动模块的输出端作为所述的低压控制芯片的第11引脚，所述的低压驱动模块的接地端作为所述的低压控制芯片的第10引脚，所述的第三比较器的同相输入端与所述的第四比较器的同相输入端连接，且其公共连接端作为所述的低压控制芯片的第6引脚，所述的第三比较器的反相输入端接入内部基准输出的1.5V电压，所述的第三比较器的输出端与所述的控制逻辑模块的第四个输入信号端连接，所述的第四比较器的反相输入端接入内部基准的0.8V电压，所述的第四比较器的输出端与所述的控制逻辑模块的第五个输入信号端连接，所述的第五比较器的同相输入端作为所述的低压控制芯片的第7引脚，所述的第五比较器的同相输入端分别与所述的电流源的电流流入端和所述的第二稳压二极管的负端连接，所述的电流源的电流流出端接地，所述的第二稳压二极管的正端分别与所述的第二 NPN三极管的基极和所述的电阻的一端连接，所述的第二 NPN三极管的集电极与所述的控制逻辑模块的第六个输入信号端连接，所述的第二 NPN三极管的发射极接地，所述的电阻的另一端与所述的第二 NPN三极管的发射极连接，所述的第五比较器的反相输入端接入内部基准输出的1.25V电压，所述的第五比较器的输出端与所述的控制逻辑模块的第七个输入信号端连接，所述的第五比较器的输出端输出的信号控制所述的电流源的开关，所述的低压控制芯片的第5引脚、第6引脚、第8引脚各自的输入信号作为所述的逻辑电路的输入信号，所述的逻辑电路的输出端作为所述的低压控制芯片的第9引脚； 所述的高压驱动芯片包括二极管、第二NMOS管、非门、高压输本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种双芯片封装实现的大功率谐振电源控制芯片，其特征在于包括引线框架，所述的引线框架具有一个封装面，所述的封装面上设置有16个相互隔离且绝缘的引出脚，且第1个引出脚至第16个引出脚分别为软启动端、过载电流延迟关断端、定时电容端、最低振荡器频率设置端、间歇工作模式门限端、输入电流检测端、输入电压检测端、闭锁式驱动关闭端、前级PFC控制器的控制通道端、IC功率和信号地、低侧门级驱动输出端、电源端、空引脚、高侧门级驱动的悬浮地、高侧门级驱动输出端、高侧门极驱动输出悬浮电源端，所述的封装面上封装有采用低压工艺制成的低压控制芯片和采用高压工艺制成的高压驱动芯片，所述的低压控制芯片具有14个相互隔离且绝缘的引脚，且第1个引脚至第14个引脚分别为软启动端、过载电流延迟关断端、定时电容端、最低振荡器频率设置端、间歇工作模式门限端、输入电流检测端、输入电压检测端、闭锁式驱动关闭端、前级PFC控制器的控制通道端、IC功率和信号地、低侧门级驱动输出端、电源端、高压信号电源端、高压信号输出逻辑控制端，所述的高压驱动芯片具有7个相互隔离且绝缘的引脚，且第1个引脚至第6个引脚分别为高侧门级驱动的悬浮地、高侧门级驱动输出端、高侧门极驱动输出悬浮电源端、电源端、IC功率和信号地、高压信号电源端、高压信号输入逻辑控制端，所述的低压控制芯片的第1个引脚至第12个引脚与所述的封装面上设置的第1个引出脚至第12个引出脚一一对应的连接，所述的低压控制芯片的第13个引脚与所述的高压驱动芯片的第6个引脚连接，所述的低压控制芯片的第14个引脚与所述的高压驱动芯片的第7个引脚连接，所述的高压驱动芯片的第1个引脚至第3个引脚与所述的封装面上设置的第14个引出脚至第16个引出脚一一对应的连接，所述的高压驱动芯片的第4个引脚与所述的封装面上设置的第12个引出脚连接，所述的高压驱动芯片的第5个引脚与所述的封装面连接，所述的封装面与所述的封装面上设置的第10个引出脚连接。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟晓辉，
申请(专利权)人：日银IMP微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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