本发明专利技术公开了一种预热式电子镇流器控制芯片，包括封装体，封装体中封装设置有模式控制电路、压控振荡器及半桥驱动电路，模式控制电路具有预热频率控制端和预热时间控制端，压控振荡器具有运行频率控制端，应用时模式控制电路根据预热时间控制端处的电压和预热频率控制端处的电压，输出一个用于决定压控振荡器的振荡频率的电压信号，使芯片依次工作于软启动、恒频预热、点亮和运行模式，在芯片进入工作状态后芯片的工作频率由最大频率平滑减低到预热频率，再以恒定频率进行预热，再由恒定频率平滑减低到运行频率，由于采用了恒频预热方式且频率变化平滑，因此在相同预热时间内预热效果更好，缩短了预热时间，且保证了节能灯的开关次数和使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种节能灯用电子镇流器，尤其是涉及一种预热式电子镇流器控制芯片(IC, Integrated Circuit)。
技术介绍
为了延长节能灯的使用寿命，通常在电子镇流器点亮节能灯的灯管之前都会对灯管进行预热。早期的很多电子镇流器控制芯片都采用扫频预热的方式完成对灯管的预热，也就是采用变化的频率对灯管进行预热。但是，这种扫频预热方式存在以下问题一方面，为了达到合适的灯丝温度，这种扫频预热方式需要较长的预热时间，预热时间不够就会影响节能灯的开关次数，进而影响节能灯的使用寿命；另一方面，这种扫频预热方式较长的预 热时间产生了延时的感觉，然而根据普通人的使用习惯，一般都希望在开灯后就能立即看到灯被点亮了，而不希望有延时的感觉。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种在保证节能灯的开关次数和使用寿命的前提下，能够有效缩短预热时间，且预热效果更好的预热式电子镇流器控制芯片。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为一种预热式电子镇流器控制芯片，包括封装体，其特征在于所述的封装体中封装设置有模式控制电路、压控振荡器及半桥驱动电路，所述的模式控制电路用于实现该芯片的恒频预热，所述的模式控制电路具有预热频率控制端和预热时间控制端，所述的压控振荡器具有运行频率控制端，所述的预热频率控制端与芯片外接的预热频率设置电阻连接，所述的预热时间控制端与芯片外接的预热时间设置电容连接，所述的运行频率控制端与芯片外接的运行频率设置电阻连接，所述的模式控制电路的输出端与所述的压控振荡器的信号控制端连接，所述的压控振荡器的输出端与所述的半桥驱动电路的输入端连接，所述的半桥驱动电路的高侧驱动信号输出端和所述的半桥驱动电路的低侧驱动信号输出端分别与外部应用电路的功率器件连接；所述的模式控制电路根据所述的预热时间控制端处的电压和所述的预热频率控制端处的电压，输出一个用于决定所述的压控振荡器的振荡频率的电压信号，并提供该电压信号给所述的压控振荡器，所述的压控振荡器产生一个方波信号，并传输该方波信号给所述的半桥驱动电路，所述的半桥驱动电路输出高侧驱动信号和低侧驱动信号驱动外部应用电路的功率器件。所述的封装体上设置有九个管脚，分别为芯片电源电压管脚、芯片地管脚、预热频率控制管脚、预热时间控制管脚、运行频率控制管脚、高侧电源电压管脚、高侧浮地管脚、高侧驱动输出管脚和低侧驱动输出管脚，所述的预热频率控制端通过所述的预热频率控制管脚与芯片外接的预热频率设置电阻连接，所述的预热时间控制端通过所述的预热时间控制管脚与芯片外接的预热时间设置电容连接，所述的运行频率控制端通过所述的运行频率控制管脚与芯片外接的运行频率设置电阻连接，所述的半桥驱动电路的高侧驱动信号输出端通过所述的高侧驱动输出管脚与外部应用电路的功率器件中的高侧开关管的控制端连接，所述的半桥驱动电路的低侧驱动信号输出端通过所述的低侧驱动输出管脚与外部应用电路的功率器件中的低侧开关管的控制端连接。该芯片具有四种工作模式，分别为软启动模式、恒频预热模式、点亮模式和运行模式；当该芯片启动进入工作状态后，该芯片处于软启动模式，此时所述的模式控制电路通过所述的预热时间控制端提供一个较大电流向芯片外接的预热时间设置电容充电，使所述的预热时间控制端处的电压快速上升以达到所述的预热频率控制端处的电压，在软启动模式下所述的模式控制电路的输出端处的电压与所述的预热时间控制端处的电压一致；当所述的预热时间控制端处的电压达到所述的预热频率控制端处的电压时，该芯片进入恒频预热模式，此时所述的模式控制电路通过所述的预热时间控制端提供一个较小 电流向芯片外接的预热时间设置电容充电，使所述的预热时间控制端处的电压缓慢上升以达到4. 8V电压，再提供一个较小电流让芯片外接的预热时间设置电容放电，使所述的预热时间控制端处的电压缓慢减低到所述的预热频率控制端处的电压，在恒频预热模式下所述的模式控制电路的输出端处的电压与所述的预热频率控制端处的电压一致，并且保持不变，实现恒频预热；当所述的预热时间控制端处的电压低于所述的预热频率控制端处的电压时，该芯片进入点亮模式，此时所述的模式控制电路通过所述的预热时间控制端提供一个较大电流向芯片外接的预热时间设置电容充电，使所述的预热时间控制端处的电压快速上升以达到4. 8V电压，同时使所述的压控振荡器的振荡频率平滑快速达到该芯片的运行频率，在点亮模式下所述的模式控制电路的输出端处的电压与所述的预热时间控制端处的电压一致；当所述的预热时间控制端处的电压达到4. 8V电压后，该芯片进入运行模式。所述的预热频率控制端处的电压小于4. 8V。所述的模式控制电路包括第一比较器、第二比较器、第一 RS触发器、第二 RS触发器、第三RS触发器、第一或非门、第二或非门、反相器、第一电流源、第二电流源、第三电流源、电流沉、第一 PMOS开关管、第二 PMOS开关管、第三PMOS开关管、第一 NMOS开关管、第二 NMOS开关管和二选一数据选择器，所述的第一比较器的负输入端接入4. 8V电压，所述的第一比较器的正输入端和所述的第二比较器的负输入端连接，且其公共连接端为所述的预热时间控制端，所述的第二比较器的正输入端为所述的预热频率控制端，所述的第一比较器的输出端分别与所述的第一 RS触发器的R输入端及所述的第二 RS触发器的S输入端连接，所述的第二比较器的输出端分别与所述的第一 RS触发器的S输入端、所述的第三RS触发器的S输入端、所述的反相器的输入端及所述的第二或非门的第二输入端连接，所述的第二 RS触发器的R输入端接入复位信号，所述的第三RS触发器的R输入端与所述的第二 RS触发器的Q非输出端连接，所述的第一 RS触发器的Q输出端与所述的第一或非门的第一输入端连接，所述的第三RS触发器的Q输出端分别与所述的第一或非门的第二输入端及所述的第二或非门的第一输入端连接，所述的第三RS触发器的Q非输出端与所述的第二PMOS开关管的栅极连接，所述的第一或非门的输出端分别与所述的第一 PMOS开关管的栅极及所述的第一 NMOS开关管的栅极连接，所述的第一 NMOS开关管的源极与所述的电流沉的负端连接，所述的电流沉的正端接芯片地，所述的第一 NMOS开关管的漏极分别与所述的第一 PMOS开关管的漏极、所述的第二 PMOS开关管的漏极、所述的第三PMOS开关管的漏极及所述的第二 NMOS开关管的漏极连接，且其公共连接端分别与所述的第一比较器的正输入端和所述的第二比较器的负输入端的公共连接端及所述的二选一数据选择器的第一输入端连接，所述的第二 NMOS开关管的栅极接入复位信号，所述的第二 NMOS开关管的源接芯片地，所述的第三PMOS开关管的栅极与所述的反相器的输出端连接，所述的第一 PMOS开关管的源极与所述的第一电流源的正端连接，所述的第二 PMOS开关管的源极与所述的第二电流源的正端连接，所述的第三PMOS开关管的源极与所述的第三电流源的正端连接，所述的第一电流源的负端、所述的第二电流源的负端和所述的第三电流源的负端均接芯片电源电压，所述的二选一数据选择器的第二输入端与所述的第二比较器的正输入端连接，所述的二选一数据选择器的控制端与所述的第二或非门的输出端连接，所述的二选一数据选择器的输出端为所述的模本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种预热式电子镇流器控制芯片，包括封装体，其特征在于所述的封装体中封装设置有模式控制电路、压控振荡器及半桥驱动电路，所述的模式控制电路用于实现该芯片的恒频预热，所述的模式控制电路具有预热频率控制端和预热时间控制端，所述的压控振荡器具有运行频率控制端，所述的预热频率控制端与芯片外接的预热频率设置电阻连接，所述的预热时间控制端与芯片外接的预热时间设置电容连接，所述的运行频率控制端与芯片外接的运行频率设置电阻连接，所述的模式控制电路的输出端与所述的压控振荡器的信号控制端连接，所述的压控振荡器的输出端与所述的半桥驱动电路的输入端连接，所述的半桥驱动电路的高侧驱动信号输出端和所述的半桥驱动电路的低侧驱动信号输出端分别与外部应用电路的功率器件连接；所述的模式控制电路根据所述的预热时间控制端处的电压和所述的预热频率控制端处的电压，输出一个用于决定所述的压控振荡器的振荡频率的电压信号，并提供该电压信号给所述的压控振荡器，所述的压控振荡器产生一个方波信号，并传输该方波信号给所述的半桥驱动电路，所述的半桥驱动电路输出高侧驱动信号和低侧驱动信号驱动外部应用电路的功率器件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙腾达，
申请(专利权)人：日银IMP微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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