一种新型大功率MOS管驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种新型大功率MOS管驱动装置，包括光纤隔离器、反相器及MOSFET功率输出单元，所述光纤隔离器的输入端与输出端分别连接主芯片板、反相器，所述反相器输出端与MOSFET功率输出单元相接，此MOSFET功率输出单元由两个金氧半场效晶体管并联相接组成。本实用新型专利技术有益效果为：通过设置光纤隔离器，使脉冲通过光纤传输到驱动板，报警信号通过光纤从驱动板传输到主板；采用MOSFET功率输出单元直接驱动，避免了驱动脉冲信号通过脉冲变压器产生的失真；此外，主控板与驱动板电气隔离，驱动板又能反馈给主板报警信号使得主控板及时关断脉冲保护功率器件；具有驱动电路结构简单、驱动能力强、性能稳定等特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及驱动电路
，尤其涉及一种新型大功率MOS管驱动装置。
技术介绍
目前，在很多电子电器设备的电源电路中，经常会使用到MOS场效应晶体管驱动电路，一般在MOS管的栅极施加一个可调节的驱动信号，通过调节驱动信号的占空比来控制MOS管的导通和关断时间，从而输出可调节、可控制的电压。在使用MOS管设计开关电源或马达驱动电路时，大部分人都会考虑MOS的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素，但是这样的电路也许可以工作，但作为正式的产品设计也是不允许的，传统的MOS管驱动电路中，MOS管驱动信号的驱动上升边沿上升时间长且有较高的过冲，使得被驱动的MOS管功率增大、发热严重，使MOS管寿命缩短，甚至损坏。同时，很多同类电路装置采用脉冲变压器，常导致驱动脉冲信号通过脉冲变压器产生的失真。因此，针对 以上方面，需要对现有技术进行合理的改进。
技术实现思路
针对以上缺陷，本技术提供一种采用MOSFET直接驱动、结构简单、驱动能力强、性能稳定的新型大功率MOS管驱动装置，以解决现有技术的诸多不足。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案一种新型大功率MOS管驱动装置，包括光纤隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型大功率MOS管驱动装置，包括光纤隔离器(1)、反相器(2)及MOSFET功率输出单元(3)，其特征在于：所述光纤隔离器(1)的输入端与输出端分别连接主芯片板(4)、反相器(2)，所述反相器(2)输出端与MOSFET功率输出单元(3)相接，此MOSFET功率输出单元(3)由两个金氧半场效晶体管并联相接组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑，
申请(专利权)人：刘剑，
类型：实用新型
国别省市：