一种基于MOSFET的H桥驱动电路制造技术

技术编号:8361505 阅读:1148 留言:0更新日期:2013-02-22 21:59
一种基于MOSFET的H桥驱动电路,所述的基于MOSFET的H桥驱动电路包括一个利用电容自举升压原理进行升压的电路模块一、与电路模块一相连实现电平转换并驱动功率元件的电路模块二、与电路模块二相连于电机的两极并实现对电机的换向和调速控制的电路模块三,所述的电路中包括四个N沟道的场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q4、场效应管Q5,且场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q4、场效应管Q5构成H桥连接。本实用新型专利技术设计了一种H桥驱动电路,采用电容自举升压电路实现MOSFET的升压,并将电机驱动方式从原来的双P沟道的MOSFET结合双N沟道的MOSFET构成H桥的形式优化改进为四个N沟道的MOSFET构成H桥进行控制,使得成本较低,同时可以达到更大的输出功率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种H桥驱动电路的改进技术。
技术介绍
随着锂电池应用领域的扩展,在一些存在特定工作特性的要求的应用场合下需要动力输出为不同方向的力矩。若要实现这一功能,首先就需要控制电机旋转方向、调节转速才能实现。由于考虑到MOSFET的驱动电压限制问题,目前电机驱动在应用上的控制方案通常采用双P沟道的MOSFET与双N沟道的MOSFET构成H桥进行控制。这样不仅成本比较高,而且受P沟道的MOSFET的限制,输出功率也不难以做太大。
技术实现思路
有鉴于此,本技术要解决的技术问题是提供一种利用N沟道的MOSFET构成H桥驱动电路的设计。由此,本技术所提出的技术方案如下一种基于MOSFET的H桥驱动电路,所述的基于MOSFET的H桥驱动电路包括一个利用电容自举升压原理进行升压的电路模块一、与电路模块一相连实现电平转换并驱动功率元件的电路模块二、与电路模块二相连于电机的两极并实现对电机的换向和调速控制的电路模块三,在电路模块三设置有提供电机的正转和调速控制信号输出的外接口 PWMl以及提供电机的反转和调速控制信号输出的外接口 PWM2,在电路模块一设置有提供电路模块一驱动信号输出的外接口 PWM3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于MOSFET的H桥驱动电路,其特征在于,所述的基于MOSFET的H桥驱动电路包括一个利用电容自举升压原理进行升压的电路模块一(1)、与电路模块一相连实现电平转换并驱动功率元件的电路模块二(2)、与电路模块二相连于电机(4)的两极并实现对电机的换向和调速控制的电路模块三(3),在电路模块三设置有提供电机的正转和调速控制信号输出的外接口PWM1以及提供电机的反转和调速控制信号输出的外接口PWM2,在电路模块一设置有提供电路模块一驱动信号输出的外接口PWM3以及提供初始电压输入的外接口B+,在电路模块二和电路模块三设置有提供电路模块二和电路模块三控制信号输出的外接口CO1和外接口CO2,在电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:余敏
申请(专利权)人:惠州市蓝微电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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