驱动电路制造技术

提供了一种驱动电路，所述驱动电路包括：第一开关元件，根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；第二开关元件，根据控制电压与第一开关元件互补地操作；稳压电路单元，根据第一开关元件的源‑栅电压而接通以保持恒压；电流调节电路，根据控制电压在接通状态或断开状态下操作并在电流调节电路的接通状态下根据电流控制信号调节流向地的操作电流；电流控制电路，通过在稳压电路单元的接通状态下向电流调节电路提供电流控制信号来控制操作电流；信号传输电路，向第二开关元件的栅极提供控制电压。

drive circuit

A drive circuit is provided, wherein the driving circuit includes a first switching element, according to the control voltage operation in the on state or off state; the second switch element, according to the control voltage and a first switch element complementary operation; voltage regulator circuit unit, according to the source gate voltage of the first switch element is turned on to keep constant pressure; the current regulating circuit, according to the control voltage in the connected state connected or disconnected operation and regulating circuit in current operation according to the current control signal to regulate the flow of current through the control circuit; the voltage stabilizing circuit unit connected to the current regulating circuit provides current control signal to control the operation of current; signal transmission provide a control voltage to the gate circuit, the second switch element.

【技术实现步骤摘要】
驱动电路本申请要求于2015年12月24日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0186802号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种使用金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和横向双扩散(LD)MOSFET(以下称为LD-MOS)的驱动电路。
技术介绍
通常，由金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路组成的驱动电路可用于生成驱动信号的电子装置中。在这种情况下，驱动电路应考虑到所需驱动信号的电压电平而进行设计。在需要使用现有驱动电路中的由定义的特定电压工艺制造的驱动电路提供其电压电平比所述定义的特定电压工艺的特定电压高的驱动信号的情况下，可使用具有良好驱动能力的横向双扩散MOSFET(LD-MOS)。然而，在使用LD-MOS的驱动电路中，使用了高的操作电压(VPP)，这会导致开关元件被击穿。如上所述使用LD-MOS的现有驱动电路包括使用P沟道LD-MOS和N沟道LD-MOS的逆变型驱动电路。这种驱动电路包括稳压二极管和单脉冲电路，其中，所述稳压二极管连接在操作电压端子和P沟道LD-MOS的栅极之间以防止P沟道LD-MOS被击穿，所述单脉冲电路用于在预定的短时间段内控制连接在P沟道LD-MOS的栅极和地之间的开关元件切换成接通状态以改善电流消耗。然而，当由单脉冲电路生成的单脉冲信号的宽度过窄时，P沟道LD-MOS不会切换成接通状态。相反地，当单脉冲信号的宽度过宽时，预定时间段内流动高的电流并且即使在P沟道LD-MOS已经切换成接通状态之后仍继续流动高的电流，从而增大功耗。然而，应考虑诸如LD-MOS的操作温度、LD-MOS的制造等的许多复杂的工艺的变化来适当地设计单脉冲信号的脉冲宽度。结果，设计的脉冲宽度不可能窄，并且设计应被考虑为使得脉冲宽度具有一定程度的边沿。因此，会产生不必要的功耗。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
用于以简化形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述选择的构思。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要技术特征，也不意在用于帮助决定所要求保护的主题的范围。在一个总的方面中，一种驱动电路包括：第一开关元件，连接在操作电压端子和输出端子之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；第二开关元件，连接在输出端子和地之间并被构造成根据控制电压在与第一开关元件互补的接通状态或断开状态下操作；稳压电路单元，连接在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间并被构造成根据第一开关元件的源-栅电压而接通以在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间保持恒定电压；电流调节电路，连接在第一开关元件的栅极和地之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作，并在电流调节电路的接通状态下基于第一开关元件的源-栅电压的电平根据电流控制信号来调节流向地的操作电流；电流控制电路，被构造成通过在稳压电路单元的接通状态下向电流调节电路提供电流控制信号来控制操作电流；信号传输电路，被构造成向第二开关元件的栅极提供控制电压。操作电流可包括：第一电流，在稳压电路单元的断开状态下通过第一开关元件的栅极和源极之间的寄生电容器以及电流调节电路流向地；第二电流，在稳压电路单元的接通状态下经过稳压电路单元和电流调节电路流向地，第二电流的电流值可小于第一电流的电流值。稳压电路单元可包括：电阻器电路，所述电阻电路的一端连接到操作电压端子；稳压电路，连接在所述电阻电路的另一端和第一开关元件的栅极之间，并被构造成根据第一开关元件的源-栅电压而接通，以在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间保持恒定电压。电阻器电路可包括第一电阻器；稳压电路可包括稳压二极管；稳压二极管的击穿电压和第一电阻器两端的电压的总和可小于第一开关元件的源-栅击穿电压。电流控制电路可包括：第二PMOS，具有连接到操作电压端子的源极、连接到稳压电路和电阻器电路之间的连接节点的栅极以及漏极；第三电阻器，连接在第二PMOS的漏极和地之间并被构造成向电流调节电路提供电流控制信号。电流调节电路可包括在第一开关元件的栅极和地之间彼此串联连接的第一N沟道金属-氧化物-半导体(NMOS)、第二电阻器和第一P沟道金属-氧化物-半导体(PMOS)；第一NMOS可被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；第一PMOS可被构造成与第一NMOS的操作同步进行操作并根据电流控制信号的电压电平来减小流向地的操作电流。在另一总的方面中，一种驱动电路包括：P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体(LD-MOS)，连接在操作电压端子和输出端子之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；N沟道LD-MOS，连接在输出端子和地之间并被构造成根据控制电压与P沟道LD-MOS互补地操作；稳压电路单元，连接在操作电压端子和P沟道LD-MOS的栅极之间并被构造成根据P沟道LD-MOS的源-栅电压而接通，以在操作电压端子和P沟道LD-MOS的栅极之间保持恒定电压；电流调节电路，连接在P沟道LD-MOS的栅极和地之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作，并在电流调节单元的接通状态下基于P沟道LD-MOS的源-栅电压的电平根据电流控制信号调节流向地面的操作电流；电流控制电路，被构造成在稳压电路单元的接通状态下通过向电流调节电路提供电流控制信号来控制操作电流；信号传输电路，被构造成向N沟道LD-MOS的栅极提供控制电压。操作电流可包括：第一电流，在稳压电路单元的断开状态下经过在P沟道LD-MOS的源极和栅极之间的寄生电容器以及电流调节电路流向地；第二电流，在稳压电路单元的接通状态下经过稳压电路单元和电流调节电路流向地，第二电流的电流值可小于第一电流的电流值。稳压电路单元可包括：电阻器电路，所述电阻器电路的一端连接到操作电压端子；稳压电路，连接在电阻器电路的另一端和P沟道LD-MOS的栅极之间并被构造成根据P沟道LD-MOS的源-栅电压而接通，以在操作电压端子和P沟道LD-MOS的栅极之间保持恒定电压。电阻器电路可包括第一电阻器；稳压电路可包括稳压二极管；稳压二极管的击穿电压和第一电阻两端的电压的总和可小于P沟道LD-MOS的源-栅击穿电压。电流控制电路可包括：第二PMOS，具有连接到操作电压端子的源极、连接到稳压电路和电阻器电路之间的连接节点的栅极以及漏极；第三电阻器，连接在第二PMOS的漏极和地之间并被构造成向电流调节电路提供电流控制信号。电流调节电路可包括在P沟道LD-MOS的栅极和地之间彼此串联连接的第一NMOS、第二电阻器和第一PMOS；第一NMOS可被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；并且第一PMOS可被构造成与第一NMOS的操作同步进行操作并根据电流控制信号的电压电平来减小流向地的操作电流。在另一总的方面中，一种驱动电路包括：第一开关元件，包括连接到操作电压端子的第一端子、连接到输出电压端子的第二端子和被构造成接收第一控制电压并根据第一控制电压来接通或断开第一端子和第二端子之间的连接的控制端子；控制电路，被构造成向控制端子提供第一控制电压并根据第一端子和控制端子之间的电压来调节控制电路的操作电流。控制电路还可被构造成：响应于第一端子和控制端子之间的电压小于预定电压而使第一操作电流从操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动电路，包括：第一开关元件，连接在操作电压端子和输出端子之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；第二开关元件，连接在输出端子和地之间并被构造成根据控制电压在与第一开关元件互补的接通状态或断开状态下操作；稳压电路单元，连接在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间并被构造成根据第一开关元件的源‑栅电压而接通以在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间保持恒定电压；电流调节电路，连接在第一开关元件的栅极和地之间并被构造成根据所述控制电压在接通状态或断开状态下操作，并在所述电流调节电路的接通状态下基于第一开关元件的源‑栅电压的电平根据电流控制信号来调节流向地的操作电流；电流控制电路，被构造成在稳压电路单元的接通状态下通过向所述电流调节电路提供电流控制信号来控制操作电流；信号传输电路，被构造成向第二开关元件的栅极提供控制电压。

【技术特征摘要】
2015.12.24 KR 10-2015-01868021.一种驱动电路，包括：第一开关元件，连接在操作电压端子和输出端子之间并被构造成根据控制电压在接通状态或断开状态下操作；第二开关元件，连接在输出端子和地之间并被构造成根据控制电压在与第一开关元件互补的接通状态或断开状态下操作；稳压电路单元，连接在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间并被构造成根据第一开关元件的源-栅电压而接通以在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间保持恒定电压；电流调节电路，连接在第一开关元件的栅极和地之间并被构造成根据所述控制电压在接通状态或断开状态下操作，并在所述电流调节电路的接通状态下基于第一开关元件的源-栅电压的电平根据电流控制信号来调节流向地的操作电流；电流控制电路，被构造成在稳压电路单元的接通状态下通过向所述电流调节电路提供电流控制信号来控制操作电流；信号传输电路，被构造成向第二开关元件的栅极提供控制电压。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述操作电流包括：第一电流，在所述稳压电路单元的断开状态下经过第一开关元件的源极和栅极之间的寄生电容器以及电流调节电路流向地；第二电流，在所述稳压电路单元的接通状态下经过稳压电路单元和电流调节电路流向地，第二电流的电流值小于第一电流的电流值。3.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述稳压电路单元包括：电阻器电路，所述电阻器电路的一端连接到操作电压端子；稳压电路，连接在电阻器电路的另一端和第一开关元件的栅极之间，并被构造成根据第一开关元件的源-栅电压而接通，以在操作电压端子和第一开关元件的栅极之间保持恒定电压。4.根据权利要求3所述的驱动电路，其中，所述电阻器电路包括第一电阻器；稳压电路包括稳压二极管；稳压二极管的击穿电压和第一电阻器两端的电压的总和小于第一开关元件的源-栅击穿电压。5.根据权利要求3所述的驱动电路，其中，所述电流控制电路包括：第二P沟道金属-氧化物-半导体，具有连接到操作电压端子的源极、连接到稳压电路和电阻器电路之间的连接节点的栅极以及漏极；第三电阻器，连接在第二P沟道金属-氧化物-半导体的漏极和地之间并被构造成向电流调节电路提供电流控制信号。6.根据权利要求1所述的驱动电路，其中，所述电流调节电路包括在第一开关元件的栅极和地之间彼此串联连接的第一N沟道金属-氧化物-半导体、第二电阻器和第一P沟道金属-氧化物-半导体；第一N沟道金属-氧化物-半导体被构造成根据所述控制电压在接通状态或断开状态下操作；第一P沟道金属-氧化物-半导体被构造成与第一N沟道金属-氧化物-半导体的操作同步进行操作并根据所述电流控制信号的电压电平来减小流向地的操作电流。7.一种驱动电路，包括：P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体，连接在操作电压端子和输出端子之间并被构造成根据控制电压在接通状态或接通状态下操作；N沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体，连接在输出端子和地之间并被构造成根据控制电压与P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体互补地操作；稳压电路单元，连接在操作电压端子和P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的栅极之间并被构造成根据P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的源-栅电压而接通，以在操作电压端子和P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的栅极之间保持恒定电压；电流调节电路，连接在P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的栅极和地之间并被构造成根据所述控制电压在接通状态或断开状态下操作，并在所述电流调节电路的接通状态下基于所述P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的源-栅电压的电平根据电流控制信号来调节流向地的操作电流；电流控制电路，被构造成在稳压电路单元的接通状态下通过向电流调节电路提供所述电流控制信号来控制所述操作电流；信号传输电路，被构造成向N沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的栅极提供所述控制电压。8.根据权利要求7所述的驱动电路，其中，所述操作电流包括：第一电流，在稳压电路单元的断开状态下经过在P沟道横向双扩散金属-氧化物-半导体的源极和栅极之间的寄生电容器以及电流调节电路流向地；第二电流，在稳压电路单元的接通状态下经过稳压电路单元和电流调节电路流向地，第二电流的电流值小于第一电流的电流值。9.根据权利要求7所述的驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：许畅宰，方诚晩，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR