【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；浅沟槽隔离(STI)部件，形成在所述半导体衬底中，其中，所述STI部件包括设置在所述第一区域中并具有第一厚度T1的第一部分和设置在所述第二区域中并具有大于所述第一厚度T1的第二厚度T2的第二部分，所述STI部件的所述第一部分相对于所述STI部件的所述第二部分凹陷；多个鳍式有源区，位于所述半导体衬底上；以及多个导电部件，设置在所述鳍式有源区和所述STI部件上，其中，一个导电部件覆盖所述第一区域中的所述STI部件的所述第一部分。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡嘉欣，张胜杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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