System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有模制散热板的半导体封装制造技术_技高网

具有模制散热板的半导体封装制造技术

技术编号:41193611 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-07 22:23
本文公开了一种具有模制散热板的半导体封装。一种生产半导体封装的方法包括:提供由第一模制化合物形成的模制板;提供包括引线框架以及安装在引线框架的管芯焊盘上的半导体管芯的引线框架组件;将引线框架组件和模制板布置在模制工具的模制腔室内,使得模制板插入在管芯焊盘与模制腔室的内表面之间;以及执行模制工艺,该模制工艺采用包封半导体管芯的第二模制化合物来填充模制腔室。

【技术实现步骤摘要】


技术介绍

1、诸如汽车和工业应用的许多不同的应用利用了在单一封装或外壳中包括多个功率装置的功率模块。功率模块可以包括功率转换电路,例如单相和多相半波整流器、单相和多相全波整流器、电压调节器、逆变器等。功率模块可以形成功率高效解决方案的部分,以减少或避免温室气体的人为排放。例如,混合电动车辆(hev)或电动车辆(ev)利用功率模块以功率高效的方式来执行功率转换、逆变、开关等。期望以更低的成本制造功率模块。


技术实现思路

1、本领域技术人员在阅读以下具体实施方式并查看附图后,将认识到额外的特征和优点。

2、公开了一种生产半导体封装的方法。根据实施例,该方法包括:提供由第一模制化合物形成的模制板;提供包括引线框架以及安装在引线框架的管芯焊盘上的半导体管芯的引线框架组件;将引线框架组件和模制板布置在模制工具的模制腔室内,使得模制板插入在管芯焊盘与模制腔室的内表面之间;以及执行模制工艺,该模制工艺采用包封半导体管芯的第二模制化合物来填充模制腔室。

3、公开了一种半导体封装。根据实施例,半导体封装包括:引线框架,该引线框架包括管芯焊盘以及延伸远离引线框架的多个引线;半导体管芯,该半导体管芯安装在管芯焊盘上并且电连接到引线;以及电绝缘封装体,该电绝缘封装体包封半导体管芯并且暴露引线的外端,其中,电绝缘封装体包括模制板,该模制板由第一模制化合物、以及第二模制化合物的围绕模制板的区域形成,其中,电绝缘封装体包括与管芯焊盘的背侧间隔开的安装表面,并且其中,模制板在管芯焊盘的背侧与安装表面之间形成由第一模制化合物构成的直通路径。

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【技术保护点】

1.一种生产半导体封装的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模制工艺形成包括所述第二模制化合物的区域以及所述模制板的电绝缘封装体,其中,所述电绝缘封装体包括与所述管芯焊盘的背侧间隔开的安装表面,并且其中,所述模制板在所述管芯焊盘的所述背侧与所述安装表面之间形成由所述第一模制化合物构成的直通路径。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述安装表面包括所述模制板的与所述第二模制化合物的所述区域的表面共面的外表面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有与所述第二模制化合物不同的成分。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的热导率。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的介电常数。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物包括不存在于所述第二模制化合物中的至少一种填料颗粒。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,不存在于所述第二模制化合物中的所述至少一种填料颗粒包括以下各项中的一种或多种:

9.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述模制工艺期间,所述模制板部分地液化,使得所述管芯焊盘的边缘侧变得嵌入在所述第一模制化合物内。

10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模制板的厚度处于100μm与400μm之间。

11.一种半导体封装,包括:

12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述安装表面包括所述模制板的与所述第二模制化合物的所述区域的表面共面的外表面。

13.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述第一模制化合物具有与所述第二模制化合物不同的成分。

14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的热导率。

15.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的介电常数。

16.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述第一模制化合物包括不存在于所述第二模制化合物中的至少一种填料颗粒。

17.根据权利要求16所述的半导体封装,其中,不存在于所述第二模制化合物中的所述至少一种填料颗粒包括以下各项中的一种或多种:

18.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述模制板的厚度处于100μm与400μm之间。

19.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述半导体管芯是功率晶体管管芯。

20.根据权利要求19所述的半导体封装,其中,所述半导体封装被构造成智能功率模块。

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【技术特征摘要】

1.一种生产半导体封装的方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述模制工艺形成包括所述第二模制化合物的区域以及所述模制板的电绝缘封装体,其中,所述电绝缘封装体包括与所述管芯焊盘的背侧间隔开的安装表面,并且其中,所述模制板在所述管芯焊盘的所述背侧与所述安装表面之间形成由所述第一模制化合物构成的直通路径。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述安装表面包括所述模制板的与所述第二模制化合物的所述区域的表面共面的外表面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有与所述第二模制化合物不同的成分。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的热导率。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物具有比所述第二模制化合物高的介电常数。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,所述第一模制化合物包括不存在于所述第二模制化合物中的至少一种填料颗粒。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,不存在于所述第二模制化合物中的所述至少一种填料颗粒包括以下各项中的一种或多种:

9.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述模制工艺期间,所述模制板部分地液化,使得所述管芯焊盘的边缘侧变得嵌入在所述第一模制化合物内。

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【专利技术属性】
技术研发人员:孙焌瑞郑万敎
申请(专利权)人:英飞凌科技奥地利有限公司
类型:发明
国别省市:

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