半导体器件沟道系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及一种半导体器件沟道系统及方法。公开了用于沟道区域的系统和方法。实施例包括具有多个双层的沟道区域，该双层包含交替的互补材料，诸如，InAs层和GaSb层。互补材料的交替层为沟道区域整体提供了个体材料层可能不能提供的所需带隙特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：沟道区域，位于衬底上，所述沟道区域包括：位于所述衬底上的第一层，所述第一层包含第一III?V族材料，所述第一III?V族材料具有第一带隙；位于所述第一层上的第二层，所述第二层包含第二III?V族材料，所述第二III?V族材料具有不同于所述第一带隙的第二带隙；位于所述第二层上的第三层，所述第三层包含所述第一III?V族材料；以及位于所述第三层上的第四层，所述第四层包含所述第二III?V族材料；以及栅极堆叠件，位于所述沟道区域上方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈本·多恩伯斯，克里希纳·库马尔·布瓦尔卡，马提亚斯·帕斯拉克，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：