伪FinFET结构及其制造方法技术

一种FinFET器件可以包括与有源FinFET结构横向相邻的伪FinFET结构，从而减小了有源FinFET结构上的应力失衡和应力失衡的影响。该FinFET器件包括：包括有多个半导体鳍状件的有源FinFET以及包括有多个半导体鳍状件的伪FinFET。有源FinFET以及伪FinFET彼此横向地间隔了与有源FinFET的鳍状件间距相关的距离。本发明专利技术还提供了一种伪FinFET结构及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：有源FinFET，位于衬底上方，其中，所述有源FinFET包括一个或多个有源半导体鳍状件，所述有源FinFET具有四个面；第一伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第一伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第一伪FinFET与所述有源FinFET的第一面横向相邻；第二伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第二伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第二伪FinFET与所述有源FinFET的第二面横向相邻；第三伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第三伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第三伪FinFET与所述有源FinFET的第三面横向相邻；以及第四伪FinFET，位于所述衬底上方，其中，所述第四伪FinFET包括一个或多个伪半导体鳍状件，所述第四伪FinFET与所述有源FinFET的第四面横向相邻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卢昶伸，彭治棠，黄泰钧，郑培仁，连浩明，林逸宏，李资良，章勋明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：