半导体管芯和制造半导体管芯的方法技术

本公开涉及半导体管芯和制造半导体管芯的方法。本公开涉及一种半导体管芯(1)，其具有：包括有源区域(3)的半导体本体(2)，形成在半导体本体(2)上的绝缘层(4)，其中p沟道器件(5)被形成在有源区域(3)中，以及其中钠阻挡器(10)被形成在绝缘层(4)中并且被横向地布置在管芯(1)的横向边缘(1.1)和有源区域(3)之间，钠阻挡器(10)包括绝缘层沟槽(11)，绝缘层沟槽(11)与绝缘层(4)垂直相交并且围绕有源区域(3)延伸，绝缘层沟槽(11)被填充有扩散屏障材料(21)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种具有p沟道器件的半导体管芯。

技术介绍

1、p沟道器件可以例如是在半导体本体的正面具有其源极和漏极区域的横向fet。在半导体本体上，形成绝缘层，例如将在顶部的金属化层与半导体本体隔离，例如与限定的源极和漏极触头分开。源极和漏极区域是p掺杂的，而该器件的本体区域是n掺杂的。在本示例中在正面横向地布置在源极和漏极区域之间的该本体区域中，可以通过向栅极区域施加栅极电压来形成p沟道。栅极区域可以包括栅电极和将栅电极电容性地耦合到横向fet的本体区域的栅极电介质。这应说明在有源区域中形成的可能的p沟道器件，但并不限制权利要求的范围。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种具有改进设计的半导体管芯以及制造这样的管芯的方法。

2、该目的是通过权利要求1的半导体管芯实现的，并且此外，它是通过权利要求14的方法实现的。在管芯的绝缘层中，提供由填充有扩散屏障材料的钠阻挡器沟槽构成的钠阻挡器。钠阻挡器沟槽与绝缘层垂直相交并横向地围绕有源区域延伸，其中扩散屏障材料防止绝缘层中的钠扩散，例如从管芯的横向边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体管芯(1)，具有：

2.如权利要求1所述的半导体管芯(1)，其中，在所述管芯(1)的所述横向边缘(1.1)和所述有源区域(3)之间形成的边缘终止结构(13)包括p区域(15)中的n阱(14)。

3.如权利要求2所述的半导体管芯(1)，其中，所述绝缘层沟槽(11)被布置在所述n阱(14)的内横向端(14.1)与所述管芯(1)的横向边缘(1.1)之间的横向位置上。

4.如权利要求2或3所述的半导体管芯(1)，其中，所述绝缘层沟槽(11)被布置在所述n阱(14)内的横向位置上。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体管芯(1)，其...

【技术特征摘要】

1.一种半导体管芯(1)，具有：

2.如权利要求1所述的半导体管芯(1)，其中，在所述管芯(1)的所述横向边缘(1.1)和所述有源区域(3)之间形成的边缘终止结构(13)包括p区域(15)中的n阱(14)。

3.如权利要求2所述的半导体管芯(1)，其中，所述绝缘层沟槽(11)被布置在所述n阱(14)的内横向端(14.1)与所述管芯(1)的横向边缘(1.1)之间的横向位置上。

4.如权利要求2或3所述的半导体管芯(1)，其中，所述绝缘层沟槽(11)被布置在所述n阱(14)内的横向位置上。

5.如权利要求2至4中任一项所述的半导体管芯(1)，其中，酰亚胺层(18)在所述n阱(14)上方延伸，向上覆盖整个n阱(14)。

6.如前述权利要求中任一项所述的半导体管芯(1)，其中，所述绝缘层沟槽(11)垂直延伸到所述半导体本体(2)中。

7.如前述权利要求中任一项所述的半导体管芯(1)，其中，所述扩散屏障材料(21)是金属(20)。

8.如权利要求7所...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·毛雷尔，S·康拉德，S·萨克，T·奥斯特曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：