【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括：漏极区和源极区；沟道区，连接所述漏极区与所述源极区；栅电极，在所述沟道区的至少一部分上；和栅电介质层，在所述沟道区与所述栅电极之间，其中所述沟道区的与所述源极区连接的第一部分具有比所述沟道区的与所述漏极区连接的第二部分小的截面面积。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金洞院，金大万，丁润夏，朴修永，朴赞训，白禄贤，李尚贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，浦项工科大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：
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