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本发明提供一种场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介质层。沟道区的与源极区邻近的部...该专利属于三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团授权不得商用。